SK海力士投資54兆韓元建設龍仁Y2與清州M17晶圓廠
- 鄭宇渟／台北
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SK海力士2026年8月7日宣布，公司將在南韓龍仁和清州新建晶圓廠（Fab），以應對AI時代持續成長的記憶體需求。
當天，公司董事會決議通過，在龍仁「Y2」和清州「M17」晶圓廠建設項目中分別投資35.2兆韓元和19.1兆韓元，合計投資約54兆韓元。
此舉是落實公司2026年6月公布的中長期投資戰略的又一關鍵進展。此前，SK海力士宣布計畫向龍仁半導體集群投資600兆韓元、向清州生產基地擴建投資100兆韓元。目前，龍仁首座晶圓廠（Y1）建設正有序推進，此次投資決定標誌著龍仁和清州兩地後續晶圓廠建設都啟動。
據市場調研機構Omdia預測，從2025至2030年，DRAM和NAND快閃記憶體市場需求年均增速將達19%。SK海力士表示，這並非一時的行業景氣，而是源於記憶體已從普通的零組件升級為決定AI性能的核心基礎設施，進入結構性成長階段。
SK海力士表示：「在AI時代，僅憑技術競爭力已不足以保持優勢；能否在客戶所需時間點交付足量產品，才是真正的競爭力。此次投資決定是基於對市場需求進行充分評估後作出的。」
龍仁Y2是公司在龍仁半導體集群內依次建設的四座晶圓廠中的第二座，總建築面積約34.1萬坪（約113萬平方公尺），將作為DRAM生產基地投入營運。項目計劃2027年7月開工，2029年6月啟用首個無塵室，主要生產HBM等新一代DRAM產品。目前，Y1晶圓廠建設進展順利，預計2027年2月啟用首個無塵室。
此前，SK海力士已將龍仁半導體集群的整體竣工時間由原定的2045年大幅提前至2033年，完成4座晶圓廠的全部建設。此次Y2建設即為支撐該目標的第二階段關鍵舉措，投資將分階段實施至2031年10月。
本次投資金額還包括為Y2員工配套的辦公及福利設施「支援樓」、集開發產品實驗、測試與分析一體的「研發綜合中心」，以及相關配套設施等建設費用。
龍仁半導體集群位於南韓京畿道龍仁市處仁區遠三面一帶，佔地約126萬坪（約416萬平方公尺）。目前，支撐Y2投產的一期電力、供水基礎設施建設已完成99%，進入收尾階段。公司目標，晶圓廠與基礎設施建設同步進行，Y2將按原定計畫穩步推進，確保工期不受影響。
隨著AI服務加速普及，NAND快閃記憶體需求正以企業級固態硬碟（eSSD）為核心快速成長。同時，AI推理過程中的KV緩存需求進一步增加，疊加代理式（Agentic）與物理（Physical）AI應用逐步落地，NAND快閃記憶體的應用場景有望進一步拓展。
SK海力士之所以選擇在清州建設新的NAND快閃記憶體生產基地，是因為能夠加快新晶圓廠的建設。清州園區已建成M11、M12、M15 NAND快閃記憶體生產設施，新建晶圓廠可與現有產線協同增效；同時廠址、電力及用水等基礎設施也已基本就緒。清州M17晶圓廠總建築面積約20.6萬坪（約68萬平方公尺），計畫2027年2月開工，2028年12月啟用首個無塵室。投資期將持續至2031年4月，並將根據業務進度分階段實施。
SK海力士表示，公司將基於與客戶的中長期需求溝通，前瞻性布局生產基礎設施，並按客戶實際需求時點分階段擴大生產能力。晶圓廠建設將按計畫推進，而無塵室擴建及設備投入則將依據市場動態逐步實施，以提升投資效率。
公司認為，此次投資不僅夯實未來成長基礎，也將增強南韓半導體產業生態競爭力，帶動區域經濟發展。龍仁與清州兩地同步推進的大規模投資，有望為合作夥伴企業創造更多協同成長機會，並通過創造就業、啟動本地商圈，為國家經濟的可持續成長作出貢獻。
SK海力士相關人士表示：「此次投資旨在把握與市場成長速度同步的發展機遇。公司將以前瞻性布局確保生產基礎，致力於穩定全球AI半導體供應鏈，成為AI基礎設施領域的核心合作夥伴。」
