北方華創蝕刻技術突圍 中國3D DRAM開發EUV替代方案
- 李佳翰／綜合報導
中國半導體設備商北方華創日前在IEEE期刊公布研究成果，宣稱已開發出一套用於3D DRAM的雙步驟蝕刻（etching）技術，並在64層結構中實現較高的蝕刻均勻性（Unifor...
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