中微首台高選擇比蝕刻設備交付 跨入先進3D元件製程
- 謝昇輝／綜合報導
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中國半導體設備業者中微公司在高選擇比蝕刻領域取得新進展，宣布旗下Primo Domingo氣相高選擇比蝕刻設備首部機台，近日已交付中國半導體研發與製造客戶。
過去高階蝕刻設備市場主要由美國科林研發（Lam Research）、應用材料（Applied Materials）及日本東京威力科創（TEL）等業者主導，此次首台設備交付，顯示中微進一步追趕技術門檻較高的先進製程設備。
所謂高選擇比蝕刻，是指設備能優先去除特定材料，同時儘量保留其他材料，降低蝕刻過程對周圍結構的影響。隨著晶片架構朝3D化發展，這項技術對閘極全環（GAA）電晶體、3D NAND及3D DRAM等新世代元件製程愈發重要。
以GAA電晶體為例，製程須選擇性去除特定材料，形成奈米片周圍的空間，同時保留作為電流通道的材料；3D NAND等記憶體則須在深孔及複雜結構中維持蝕刻精度與均勻性。
中微公司表示，Primo Domingo針對相關製程需求開發，可在移除特定材料時降低對其他材料的影響，以符合複雜元件結構對加工精度、均勻性及製程穩定度的要求。
新款設備採用對稱式反應腔體與最佳化氣體流場設計，整合氣體注入、溫度及壓力控制，並配置整合式氣櫃、耐腐蝕管路與特殊塗層材料，以及雙制冷、雙加熱晶圓載台，以因應高活性製程氣體及精密溫控需求。設備另搭配Primo C6V3晶圓傳輸系統，可依不同製程需求配置主蝕刻腔與輔助退火腔。
中微公司表示，其整體蝕刻設備產品線已涵蓋65奈米至3奈米及更先進製程，並支援記憶體高深寬比蝕刻。根據公司技術數據顯示，介電材料蝕刻深寬比可達60：1及90：1，矽蝕刻則可達140：1；雙反應台電感耦合電漿（ICP）蝕刻技術的加工控制能力達0.2奈米。
此次首台設備交付，代表中微將高選擇比蝕刻技術推進至客戶端導入階段，也為其拓展先進3D元件製程設備市場跨出一步。不過，設備交付給哪一家中國客戶，中微並未具體透露。
截至2026年6月底，中微公司表示，已有逾8,800個反應台在全球220多條生產線投入量產，產品涵蓋蝕刻、薄膜沉積及其他半導體製程設備。
責任編輯：蔡雨婷
