三星HBM4E傳採2奈米製程 以IDM優勢搶攻AI半導體
- 陳玟靜／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）傳計劃在下一代高頻寬記憶體（HBM）的基礎裸晶（base die）上導入2奈米製程，以同時提升技術競爭力。業界認為，作為全球DRAM市...
會員登入
會員服務申請/試用
申請專線：
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)
關鍵字
