美光推出業界首款可增加伺服器記憶體容量和提升性能的LRDIMM

美光科技宣布推出業界首款DDR3低負載雙列直插記憶體模組(LRDIMM)，透過減少伺服器記憶體匯流排上的負載，LRDIMM可用以支援更高的資料頻率並使記憶體容量顯著增加。

新的LRDIMM將採用美光先進的1.35v 2Gb 50nmDDR3記憶體晶片製造，2Gb 50nmDDR3具有高密度及領先業界的小尺寸之特性，而能輕鬆增加伺服器模組的容量，並符合成本效益。目前多數中階企業伺服器每系統使用約32GB的DRAM記憶體，但根據Gartner近期的一份報告指出，此數字於2012年將增長至三倍以上，對記憶體的要求將達到前所未有的高度，即希望藉由增加伺服器系統的可用記憶體，使系統可同時執行更多程式、更有效地處理龐大的資料檔案，並呈現出更好的整體系統性能。

美光LRDIMM使用Inphi近期推出的隔離記憶體緩衝(iMB)晶片而非暫存器，能減少記憶體及處理器傳輸資料時的匯流排負載。相較於目前標準的DDR3伺服器模組RDIMM，美光的雙排LRDIMM模組能減少負載達50%，四排模組更可減少75%的負載。透過減少匯流排負載，美光的LRDIMM使伺服器能處理更高的資料頻率，從而提升整體系統性能，並可支援更多的模組數量，以獲得更大的系統記憶體容量。

目前所使用的RDIMM典型伺服器系統，每個處理器最多可容納3個四排16GB RDIMM模組，但同樣的系統卻能支援9個四排16GB LRDIMM，使記憶體容量從48GB增加到144GB，並且能增加系統記憶體頻寬達57%。由於伺服器功耗仍是客戶的首要考量，因此美光的LRDIMM也將以業界最低的1.35伏電壓運作。

美光市場行銷副總裁Robert Feurle表示，隨著虛擬化的興起，新的16GB模組能使客戶更方便地擴大記憶體容量。傳統的RDIMM由於其負載狀況限制了可容納的記憶體數量，LRDIMM則透過減少模組負載而消除了該問題。由於LRDIMM採用美光新低功耗2Gb 50nmDDR3晶片，可減少模組晶片數量，因此能提供客戶以更具成本效益、更有效率的方法，來提高伺服器記憶體的容量和性能，同時還能降低功耗水準。