缺陷密度

缺陷(Defect)密度指晶片上，非製程當中預期結果，對於晶片品質及良率有負面影響的獨立污染區或是不規則區域。缺陷的種類相當多，舉凡製程上非預期的因素，例如微塵、刮痕、光阻覆蓋不全、區塊缺陷(Cluster Defect)、金屬污染等等。

由於缺陷攸關良率高低，一般來說，良率與晶圓製程中的金屬層多寡、平均每層的缺陷密度呈現相關，通常來說，所以晶片面積越大、金屬層數目越多或是缺陷密度越大都會使良率降低，也因此，更突顯半導體業者採取晶圓偵測設備找出缺陷區域並加以自動化分類的重要性。

缺陷密度也被晶圓廠用來作為製程品質的指標，以台積電、聯電為例，目前新進製程45奈米的缺陷密度已經達到一定成熟水準，台積電更號稱最低缺陷密度已可達趨近於零左右。(宋丁儀)