台灣應用晶體12吋碳化矽全自主開發突破 挑戰AI先進封裝散熱新戰場

TAC研發團隊於長晶爐區與自主開發之12吋碳化矽晶錠合影。TAC

大立光電集團旗下碳化矽晶體與基板廠——台灣應用晶體股份有限公司（台灣應用晶體；TAC），9月2日於SEMICON Taiwan 2026期間宣布，其12吋（300mm）單晶碳化矽（SiC）晶體開發已達成關鍵里程碑，正式切入AI先進封裝散熱應用的新戰場；同時發表8吋超低電阻（Ohmic-ULR）新產品，搶進800V  HVDC與固態變壓器（SST）等高壓電力市場。

以8吋技術為基礎  12吋開發全程自主

TAC表示，12吋碳化矽晶體於2025年12月至2026年4月間，完全依循公司深耕多年、技術紮實的8吋長晶製程基礎，由團隊100%自主開發完成。此階段成果已實現有效晶體厚度15mm以上，並在雷射切片（laser slicing）製程上達成高良率，展現公司在大尺寸碳化矽晶體品質控制與後段加工上的整合實力。

隨著AI高效能運算對晶片散熱需求急遽升高，碳化矽因其優異的高導熱特性，被視為新世代先進封裝的關鍵散熱材料。TAC強調，12吋碳化矽的突破，使公司已具備切入AI晶片散熱供應鏈技術條件。8吋完成預量產準備，超低電阻新品搶攻高壓電力市場。

在8吋產品方面，TAC已完成預量產（pilot run）準備，並正積極與日系指標廠商展開逐步認證，穩步邁向規模化出貨。

同時，TAC持續研發8吋超低電阻（Ohmic-ULR）新產品，電阻率低至5mΩ·cm。此一超低電阻特性可有效降低導通損耗、提升元件效率，特別適用於800V高壓直流（HVDC）及固態變壓器（Solid State Transformer；SST）等新興高壓電力應用市場，滿足次世代電網、資料中心供電與電動車快充基礎設施對高效率功率元件的嚴苛要求。

大立光電集團支持建構在地碳化矽強韌供應鏈

隸屬大立光電集團的TAC，在集團資源支持下持續投入碳化矽晶體與基板研發，並透過跨國策略聯盟與上下游夥伴合作，強化台灣本土碳化矽供應能量，為半導體與AI產業鏈的自主韌性奠定基礎。