三星、SK海力士都押2028年 DRAM微縮戰跨入High-NA世代
- 范維君／綜合報導
DRAM微縮競賽即將跨入高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）時代，SK海力士（SK Hynix）目標2028年正式導入DRAM量產，時間點與三星電子（Samsung Electronics）相近，意味著南韓記憶體雙雄在1c、1d DRAM等製程...
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