英飛凌推出全新車規級750V EDT2 IGBT 適用於分立式牽引逆變器 智慧應用 影音
TIS 2024
四零四科技

英飛凌推出全新車規級750V EDT2 IGBT 適用於分立式牽引逆變器

  • 賴品如台北

英飛凌科技宣布推出採用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該元件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行了優化,進一步豐富了英飛凌車規級分立式高壓元件的產品陣容。得益於其出色的品質,EDT2 IGBT符合並超越了車規級半導體分立元件應力測試標準 AECQ101,因而能夠大幅提升逆變器系統的效能和可靠性。該IGBT採用汽車級微溝槽場中止(micro-pattern trench-field-stop)單元設計,所用技術已成功應用於EasyPACK 2B EDT2和HybridPACK等多款逆變器模組。

為了滿足目標應用的要求,英飛凌新推出的EDT2 IGBT產品系列具備出色的抗短路能力。此外,它所採用的TO247PLUS封裝具有更大的爬電距離,更有利於進行系統設計。同時,EDT2技術專門針對牽引逆變器進行了優化,擊穿電壓為750 V,可支援高達470 VDC的電池電壓,並顯著降低開關和導通損耗。

英飛凌推出全新車規級750V EDT2 IGBT 適用於分立式牽引逆變器。英飛凌

英飛凌推出全新車規級750V EDT2 IGBT 適用於分立式牽引逆變器。英飛凌

分立式EDT2 IGBT在100°C的溫度條件下運行時,額定電流通常為120A或200A,這兩款型號均具有極低的正向電壓,相比上一代產品,導通損耗降低了13%。其中,額定電流為200 A的AIKQ200N75CP2,在採用TO247Plus封裝的分立式IGBT產品中堪稱出類拔萃。因此,僅需少量的並聯元件,便可實現既定的目標功率等級,同時還可提高功率密度,降低系統成本。

此外,EDT2 IGBT的參數分布非常集中。集極-射極飽和電壓(Vce(sat))的典型值與最大值之間相差不足200 mV,閘極閾值電壓(VGEth)也相差不到750 mV。而且飽和電壓為正溫度係數。總之,這些特性有助於輕鬆實現並聯運行,從而提高最終設計的系統靈活性和功率可擴展性。除此之外,這款IGBT元件還擁有平穩的開關特性、低閘極電荷(QG)和175°C的最高接面溫度(Tvjop)等優點。


議題精選-2022台北國際汽車零配件/車用電子展