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ROHM推出EcoGaN Power Stage IC 減少應用損耗並實現小型化

  • 林岫台北

ROHM推出EcoGaN Power Stage IC,助力減少應用損耗並實現小型化,替換現有MOSFET,元件體積可減少約99%,功率損耗可減少約55%。ROHM
ROHM推出EcoGaN Power Stage IC,助力減少應用損耗並實現小型化,替換現有MOSFET,元件體積可減少約99%,功率損耗可減少約55%。ROHM

半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)針對伺服器等工控設備,和AC適配器等消費性電子設備的一次側電源,推出集結了650V GaN HEMT和閘極驅動器等技術的Power Stage IC「BM3G0xxMUV-LB」(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。

近年來為了實現永續發展社會,對消費性電子和工控設備的電源提出了更高的節能要求。針對上述需求,GaN HEMT因有助提高功率轉換效率和實現元件小型化被寄予厚望。然而與Si MOSFET相比,GaN HEMT的閘極處理較為困難,必須與驅動閘極用的驅動器結合使用。在此市場背景下,ROHM結合了擅長的功率和類比兩種核心技術優勢,開發出集結功率半導體—GaN HEMT和類比半導體—閘極驅動器於一體的Power Stage IC。該產品的問世使得被稱為新世代功率半導體的GaN元件能更輕易地被導入。

採用EcoGaN Power Stage IC。ROHM

採用EcoGaN Power Stage IC。ROHM

EcoGaN Power Stage IC概要。ROHM

EcoGaN Power Stage IC概要。ROHM

新產品中匯集了新世代功率元件650V GaN HEMT、能夠大幅發揮GaN HEMT效能的專用閘極驅動器,以及追加功能和週邊元件。另外新產品支援更寬的驅動電壓範圍(2.5V~30V),具備支援一次側電源各種控制器IC的效能,因此可以替換現有的Si MOSFET(Super Junction MOSFET/以下稱 Si MOSFET)。

與Si MOSFET相比,元件體積可減少約99%,功率損耗可降低約55%,因此可同時實現更低損耗和小型化。
新產品已於2023年6月開始量產,另外新產品及對應的三款評估板(BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003)也已開始透過電商平台銷售。

林昆祈General Manager, PSADC(Power Semiconductor Applications Development Center), Delta Electronics, Inc.說到:「由於GaN元件對設備小型化和節能化有極大的貢獻,因此近年引發了業界對GaN元件的高度關注。本次新產品採用的是ROHM獨家類比技術,實現了高速且安全的閘極驅動。這將進一步推動GaN功率元件的應用,十分令人期待。」

應用範例

適用於內建一次側電源(AC-DC或PFC電路)的各種應用。
消費性電子:大型家電、AC適配器、電腦、電視、冰箱、空調
工控設備:伺服器、OA設備