當GaN FET也能跟MOSFET一樣時,功率設計不再需要小心翼翼 智慧應用 影音
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當GaN FET也能跟MOSFET一樣時,功率設計不再需要小心翼翼

  • 黃書瑋台北

CGD亞太區銷售副總裁陳雪蕙(左)與【姚姚Tech666】主持人姚嘉洋。IC之音
CGD亞太區銷售副總裁陳雪蕙(左)與【姚姚Tech666】主持人姚嘉洋。IC之音

 
 

GaN FET在第三代半導體領域一直是重要的話題,但事實上,GaN的耐電壓能力相當有限,與溫度變化也有直接關係,若不甚注意,輕則影響可靠度表現,重則讓元件毀損。所以,好的獨立GaN ET元件,要讓工程師可以放心地設計功率系統需要什麼樣的條件呢?

來賓:CGD亞太區銷售副總裁 陳雪蕙
本集節目要點:
📣5~600W以下功率系統設計,控制晶片便能直接驅動MOSFET。
📣GaN FET整合邏輯電路, 讓GaN FET也能與MOSFET相同,使其便於系統設計。
📣溫度高度影響GaN FET耐受電壓表現,關鍵在於有無整合溫度補償電路。

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