當GaN FET也能跟MOSFET一樣時，功率設計不再需要小心翼翼

CGD亞太區銷售副總裁陳雪蕙（左）與【姚姚Tech666】主持人姚嘉洋。IC之音

GaN FET在第三代半導體領域一直是重要的話題，但事實上，GaN的耐電壓能力相當有限，與溫度變化也有直接關係，若不甚注意，輕則影響可靠度表現，重則讓元件毀損。所以，好的獨立GaN ET元件，要讓工程師可以放心地設計功率系統需要什麼樣的條件呢？

來賓：CGD亞太區銷售副總裁 陳雪蕙
本集節目要點：
📣5~600W以下功率系統設計，控制晶片便能直接驅動MOSFET。
📣GaN FET整合邏輯電路， 讓GaN FET也能與MOSFET相同，使其便於系統設計。
📣溫度高度影響GaN FET耐受電壓表現，關鍵在於有無整合溫度補償電路。

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