Transphorm發佈兩款4引腳TO-247封裝器件

Transphorm, Inc.推出兩款採用4引腳TO-247封裝（TO-247-4L）的新型SuperGaN器件。新發布的 TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET器件分別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻，並配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能。新產品將採用Transphorm成熟的矽襯底氮化鎵製程，該製造製程不僅可靠性高，而且具有良好的成本效益，非常適合現有矽基生產線量產。目前，50毫歐 TP65H050G4YS FET已可供貨，35毫歐TP65H035G4YS FET正在出樣，預計將於2024年一季度供貨上市。

一千瓦及以上功率級的資料中心、再生能源和各種工業應用的電源中，Transphorm的4引腳SuperGaN器件可作為原始設計選項，也可直接替代現有方案中的4引腳矽基和SiC器件。4引腳配置能夠進一步提升開關效能，從而為使用者提供靈活性。在硬開關同步升壓型轉換器中，與導通電阻相當的SiC MOSFET相比，35 毫歐SuperGaN 4引腳 FET器件在50千赫茲（kHz）下，損耗減少15%，而在100 kHz下的損耗則降低了 27%。

Transphorm業務發展及市場行銷資深副總裁Philip Zuk表示，Transphorm將繼續拓展產品線，向市場推出多樣化的氮化鎵場效應電晶體（GaN FET）。無論客戶有什麼樣的設計需求，Transphorm都能夠說明客戶充分利用SuperGaN平台的效能優勢。四引腳TO-247封裝的SuperGaN為設計人員和客戶帶來提供極佳的靈活性，只需在矽或碳化矽器件的系統上做極少的設計修改（或者根本不需要進行任何設計修改），就能實現更低的電源系統損耗。Transphorm正在加速進入更高功率的應用領域，