設計開發、製程設備技術並進 化合物半導體迎來爆發性成長

台灣電子設備協會與化合物半導體業界先進攜手解剖化合物半導體最新技術及趨勢。台灣電子設備協會

透過寬能隙特性帶來高效、高頻、高溫、高功率密度等優勢的新世代半導體，已成為電子產業發展的必然趨勢，此技術有望突破傳統半導體的性能瓶頸，在新能源、電動車、5G等領域大展身手。為協助台灣產業快速掌握新商機，台灣電子設備協會及國立台灣大學工學院，於2024年4月25日在台北南港展覽館舉辦「化合物半導體國際論壇」，邀請產業界指標性專家，深入剖析近期技術發展與趨勢。

台灣電子設備協會理事長林士青首先代表該會感謝大家的參與，並感謝台灣大學工學院的協助，讓「化合物半導體國際論壇」可以順利舉辦。協會與台大工學院已攜手合作，三年來的產學研合作將可引領台灣化合物半導體進一步發展，也希望透過此次論壇各國講師帶來的先進專業知識，為台灣儲備此領域的未來研究和設備開發能量。

國立台灣大學工學院／重點科技學院李坤彥教授也表示，台大工學院和電子設備協會已合作三年，希望結合學術和業界能力，在第三代半導體領域持續精進。國立陽明交通大學郭浩中教授則提到，匯集各國專家的「化合物半導體國際論壇」是國內半導體產業的技術盛會，此次論壇將可為國內相關領域發展提供技術能量，掌握新世代化合物半導體商機。

2024化合物半導體國際論壇中，羅姆半導體、Pentamaster、SiCEV、Coherent、英飛凌、Yole Intelligence、Novel Crystal、英商牛津儀器、日新離子機器、蘇州聯訊儀器、KusasSemi等各國大廠專家，針對新世代化合物半導體技術趨勢提供。

從論壇演講可看出，SiC與GaN等寬能隙半導體憑藉其優異的性能，在高功率、高頻率應用中展現出巨大潛力，此外超寬能隙半導體如Ga2O3也備受關注。未來，Si、GaN、SiC等多種半導體材料可能混合應用，發揮各自優勢。SiC產業預計在2023～2029年間，以25%的年複合成長率快速增長，中國的產能佔比將大幅提升，在應用方面，新能源、智慧電網、電動車、3D感測、光通訊、RF電子將是化合物半導體帶來重點應用領域。

設計開發部分，模擬設計、晶圓製造、封裝測試等環節的技術創新與優化，有助於提升新世代化合物半導體的性能、良率並控制成本。目前業界仍需克服大電流、高壓、高頻、累積崩潰等測試挑戰，以提高模組良率。對於新世代化合物半導體的開發設備，EDA、離子注入機、測試系統等配套設施的升級迭代，將有助於產業鏈的協同發展。

整體而言，新世代化合物半導體的獨特性能優勢，將在未來電子產業發展中將扮演關鍵角色，產學研界除了持續創新技術、擴張產能、拓展應用外，產業鏈中各廠商還需跨域協同合作，方能推動產業高速發展，並掌握新世代化合物半導體商機。