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40 V耐輻射GaN FET為苛刻的航空航天應用設定新的效能標準

  • 吳冠儀台北

宜普電源轉換公司(EPC)推出兩款額定電流為62 A和250 A的新型40 V元件,以擴展其用於功率轉換解決方案的耐輻射氮化鎵(GaN)產品系列,支持航太和其他高可靠性應用。

EPC宣佈推出兩款新型40 V耐輻射GaN FET。EPC7001是一款40 V、4 mΩ、250 APulsed的耐輻射GaN FET,僅佔用7 mm2的印刷電路板面積。EPC7002是一款 40 V、14.5 mΩ、62  APulsed的耐輻射GaN FET,僅佔用1.87 mm2的印刷電路板面積。

兩款元件的總劑量輻射額定值均超過 1,000K Rad(Si),而LET的 SEE抗擾度為 83.7 MeV/mg/cm2,VDS可達100%額定擊穿值。這些新型元件和其他耐輻射元件系列均採用晶片級封裝。封裝元件由EPC Space公司提供。

針對高可靠性和航空航天應用,具備更高效能的EPC的eGaN FET和IC可替代傳統的耐輻射矽元件。EPC的氮化鎵耐輻射元件比矽耐輻射元件明顯更小、電氣效能高出40倍和總體成本更低。此外,與傳統採用矽元件的解決方案相比,采用具備卓越抗輻射能力的EPC耐輻射元件,可支持具有更高的總輻射量和SEE LET水平的應用。

宜普電源轉換公司首席執行長暨聯合創辦人Alex Lidow表示,耐輻射氮化鎵產品系列提供無與倫比的效能和可靠性,其顯著的優勢使航空航天系統更高效和更堅固,支持在嚴苛環境下的廣泛應用,例如航太和其他高可靠性軍工應用。

受益於氮化鎵元件的效能和在應用中可以快速部署的應用包括DC/DC電源轉換器、馬達控制器、光達和用於太空的深空探測和離子推進器。氮化鎵元件特別適合用於在近地軌道(LEO)和地球同步軌道(GEO)運行的衛星和航空電子系統。


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