Transphorm發佈兩款4引腳TO-247封裝器件 智慧應用 影音
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Transphorm發佈兩款4引腳TO-247封裝器件

  • 吳冠儀台北

Transphorm, Inc.推出兩款採用4引腳TO-247封裝(TO-247-4L)的新型SuperGaN器件。新發布的 TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET器件分別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻,並配有一個開爾文源極端子,以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能。新產品將採用Transphorm成熟的矽襯底氮化鎵製程,該製造製程不僅可靠性高,而且具有良好的成本效益,非常適合現有矽基生產線量產。目前,50毫歐 TP65H050G4YS FET已可供貨,35毫歐TP65H035G4YS FET正在出樣,預計將於2024年一季度供貨上市。

一千瓦及以上功率級的資料中心、再生能源和各種工業應用的電源中,Transphorm的4引腳SuperGaN器件可作為原始設計選項,也可直接替代現有方案中的4引腳矽基和SiC器件。4引腳配置能夠進一步提升開關效能,從而為使用者提供靈活性。在硬開關同步升壓型轉換器中,與導通電阻相當的SiC MOSFET相比,35 毫歐SuperGaN 4引腳 FET器件在50千赫茲(kHz)下,損耗減少15%,而在100 kHz下的損耗則降低了 27%。

Transphorm業務發展及市場行銷資深副總裁Philip Zuk表示,Transphorm將繼續拓展產品線,向市場推出多樣化的氮化鎵場效應電晶體(GaN FET)。無論客戶有什麼樣的設計需求,Transphorm都能夠說明客戶充分利用SuperGaN平台的效能優勢。四引腳TO-247封裝的SuperGaN為設計人員和客戶帶來提供極佳的靈活性,只需在矽或碳化矽器件的系統上做極少的設計修改(或者根本不需要進行任何設計修改),就能實現更低的電源系統損耗。Transphorm正在加速進入更高功率的應用領域,


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