EPC推出具有最低1mΩ導通電阻的GaN FET 智慧應用 影音
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EPC推出具有最低1mΩ導通電阻的GaN FET

  • 吳冠儀台北

EPC推出採用緊凑型QFN封裝(3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET(EPC2361),助力DC/DC轉換、快充、馬達控制和太陽能 MPPT等應用實現更高的功率密度。

宜普電源轉換公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm (EPC2361)。 這是具有低導通電阻的GaN FET,與EPC的上一代産品相比,功率密度提高了一倍。

EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,採用耐熱的QFN封裝,頂部裸露,封裝面積只有3 mm x 5 mm。 EPC2361的RDS(on)最大值x 面積僅為15 mΩ*mm2  – 比等效100 V矽MOSFET的體積小超過五倍。

憑藉超低導通電阻,EPC2361可在電源轉換系統中實現更高的功率密度和更高的效率,從而降低能耗和散熱。 它為多種應用諸如高功率 PSU AC/DC同步整流、資料中心的高頻 DC/DC 轉換、電動汽車、機器人、無人機和太陽能 MPPT 的馬達控制器,帶來突破性的效能。

宜普電源轉換公司的執行長兼聯合創辦人Alex Lidow表示,EPC的新型1 mΩ GaN FET 突破了氮化鎵技術的極限,助力客戶創建更高效、更小和更可靠的電力電子系統。

EPC90156開發板是一款採用半橋EPC2361 GaN FET ,專為100 V最大元件電壓和xx A最大輸出電流而設計,旨在簡化功率系統設計人員對氮化鎵元件的評估過程,以加快產品的上市時間。 此板的尺寸為2吋 x 2吋(50.8 mm x 50.8 mm),專為實現最佳開關效能而設計,而且包含所有關鍵組件以便於評估。

若要訂購EPC產品,可透過EPC的授權經銷合作夥伴購買或可以直接向EPC網站訂購。