電阻式記憶體

電阻式記憶體(Resistive Random Access Memory；RRAM)是一種新型的非揮發性記憶體，其優點在於消耗電力較低，且寫入資訊速度比NAND Flash快約1萬倍。

所謂電阻式記憶體常用的基本結構，是以一個電晶體與一個電阻，或一個二極體加一個電阻所組成。電阻式記憶體本身結構為金屬？絕緣層？金屬結構，藉由外加偏壓來改變電阻值，以執行寫入與抹除的動作，使元件形成高、低電阻的狀態，即數位訊號中的「0」與「1」。

因電阻式記憶體沒有熱傳導問題，所以半導體後段製程可用堆疊方式，以降低面積而增加元件密度。電阻式記憶體的薄膜材料使用上有高分子材料、鈣鈦礦、二元氧化物與三元氧化物。(李佳翰)

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