中國記憶體產能擴張需擔憂? 業界:兩大因素難構成嚴重威脅 智慧應用 影音
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中國記憶體產能擴張需擔憂? 業界:兩大因素難構成嚴重威脅

  • 韓青秀

記憶體產業市場雜音湧現,中系記憶體業者積極發展重點技術,產業影響效應仍有待觀察。符世旻攝(資料照)
記憶體產業市場雜音湧現,中系記憶體業者積極發展重點技術,產業影響效應仍有待觀察。符世旻攝(資料照)

記憶體產業近來面臨市場供需失衡的雜音,中國記憶體業者產能快速擴張,引發外界憂慮將對市場競爭及獲利帶來衝擊。

但中國記憶體供應鏈業界認為,即使產能投資力道不減,有兩大因素的影響下,中國記憶體業者在短期內仍將處於市場追隨者,難以對現有記憶體大廠造成嚴重衝擊。

受到中國官方大力支持,長鑫成為具代表性的中系DRAM業者,除了肩負本土化DRAM製造的重任,近來也準備進軍HBM領域。

據估計,長鑫存儲 DRAM 總產能估在2023年達到12萬片,2024年則上看至20 萬片,雖然受到美國禁令限制,長鑫存儲主張以18.5奈米製程繼續生產,開發DDR4、LPDDR4以及LPDDR5產品,而正在興建中的HBM產線位於北京及合肥,量產的產品可能是堆疊8層的第二代HBM(HBM2)。

隨著長鑫向設備商採購製造HBM設備,業界認為,長鑫存儲HBM產品將在官方特定項目進行試驗,儘管生產初期的良率、製程開發等仍是個謎,但對中國官方來說,重點培養企業可以不賺錢,但發展路線必須符合國家策略。

值得注意的是,由NAND Flash大廠長江存儲持股的子公司武漢新芯,過去以NOR Flash產線為主,雖然武漢新芯擬將IPO已傳聞至少3年,近期在獲得上海交易所受理IPO申請後,業界認為,武漢新芯透過IPO上市募集資金,將為長江存儲挹注銀彈支援。

其主要亮點在於武漢新芯近期投入HBM布局,採購相關技術設備,初期月產能為3,000片,但業界人士指出,武漢新芯更傾向作為IP公司,透過HBM專利進行授權來獲得資本市場溢價,目的並非要建置龐大產能。

業界分析,無論是長鑫存儲、長江存儲等,如今已成為具代表性的本土化記憶體業者,雖然建置產能擴充的舉動引起外界側目及不安,但未來數年內將很難直接對各大記憶體原廠造成嚴重威脅,這主要受限於營運本質及決策管理的過程。

首先,作為國家重點項目的長存或長鑫都很難走向公開資本市場,因為一旦上市,內部財務、產能規模、稼動率及營收等將隨之公布,甚至有龐大的資本支出投入也將趨於透明化。

如今2家業者的發展重點是要配合官方本土化供應鏈的目標,必須持續投入增蓋新廠及研發戰略性技術,這也是得轉虧為盈的目標很難達成,勢必要透過其他管道或補貼取得資金支援。

據透露,長江存儲Xtacking 技術發展雖然取得斬獲,但30萬片量產計畫卻未能全面推進,預計將延後至2025年下半,原因並非在於建廠速度或技術問題,而是量產過程需要國產設備及生態鏈的配套成型,整個調校過程也將拖延量產速度。
 
其次,在成立初期的技術投入來自於招攬各方人馬,但地緣政治趨於緊張,營運方向更加傾向於官方實際主導,早期的各路產業人士已逐漸淡出,具體影響層面不僅是重大決策方向,甚至庫存、產品定價、生產計畫都須經過董事會同意。

而身為國營企業決策者的地雷是「終身問責制」,也就是即使已經下台或退休,一旦時空轉變,主事者都要為當初的爭議決策負責。

因此決策者必須趨於保守,若貿然追求成長將意味著風險及承擔責任,故決策定案前,必須要依照當時的客觀條件及證據來支撐。

而參考的依據可能就是其他國際大廠的訂價策略或庫存表現,即使未來產能規模持續開出,主事者仍可能傾向於打安全牌,成為市場追隨者,只要美國禁令大刀未解除,產能銷售仍將以內需市場為主,對於國際大廠的正面衝擊將相對有限。

中國記憶體產業扛起本土化大旗,但未來數年內對產業秩序的衝擊力道仍有待觀察,長鑫或長存將須為官方政策配套提供支持。相較之下,華為透過跨產業領域布局、推動上下游整合,自建平台及串聯產業生態系,對未來中國半導體影響或將更為關鍵。

 
責任編輯:陳奭璁