盛美半導體設備推出半關鍵清洗系列設備

盛美半導體設備近日發布了三款用於晶圓正、背面清洗製程的濕法清洗設備系列。這一系列設備包括晶圓背面清洗設備Ultra C b，自動槽式濕法清洗設備Ultra C wb，和刷洗設備Ultra C s，它們將盛美創新的濕法製程技術擴展到了更廣泛的應用領域。

盛美半導體設備董事長王暉，中國的客戶要求盛美除了提供應用於關鍵製程步驟中前瞻的主打產品之外，也為他們提供其他的非前瞻設備，稱之為 半關鍵設備。這套設備可以提供高品質的製程，以支持客戶生產鏈中要求較低但仍然相當重要的步驟。Ultra C系列產品滿足了這一要求，擴展了產品鏈實現一站式服務，同時也為客戶提供了更有競爭力的產品。

這三款Ultra C系列新產品的目標市場是先進集成電路領域，功率器件領域和晶圓級封裝領域。晶圓背面清洗Ultra C b與槽式濕法清洗Ultra C wb設備現已在中國先進半導體廠的量產中證明了它們的優勢。首台刷洗設備Ultra C s也已在2020年第1季度交付中國客戶，在驗收合格後即可確認營收。

Ultra C b是一款高性價比的晶圓背面清洗設備，具有良好的顆粒管控能力和蝕刻均勻性控制能力，該設備三大關鍵應用分別為晶圓背面清洗製程，如金屬去除或RCA清洗；晶圓背面濕法矽蝕刻製程，如晶圓背面濕法減薄或濕法矽通孔露出；以及晶圓回收製程中的多晶矽層、氧化層和氮化層等膜層剝離去除。該設備可處理高翹曲度晶圓，適用於處理200毫米或300毫米超薄晶圓和鍵合晶圓。

進行晶圓背面清洗時，使用傳統的夾具有可能對晶圓正面會帶來損傷，該設備的晶圓夾具與傳統的夾持方式不同，它利用了伯努利效應，使晶圓懸浮於晶圓夾具上，而晶圓正面與夾具間無物理接觸。當清洗化學藥液噴淋到晶圓背面進行製程的時候，晶圓帶器件的壹面就會由夾具噴出的氮氣(N2)對其進行保護。

該伯努利晶圓夾具采用了盛美的專利技術，可通過控制晶圓和晶圓夾具之間空隙的間距，來控制蝕刻後晶圓邊緣的側向蝕刻寬度，同時滿足蝕刻後晶圓邊緣無夾具痕跡的要求。該設備可根據需要配置實現高產能，以匹配短製程時間的應用，產能可達300片以上。也可選配先進的無接觸型機械手臂以實現超薄晶圓的傳輸。

Ultra C系列的半關鍵濕法製程設備現已可單獨或組合出售。