Transphorm和偉詮電子合作發布集成式GaN SiP

系統級封裝氮化鎵功率管可以為USB-C PD適配器和其它低功耗應用。Transphorm

高可靠性、高效能氮化鎵（GaN）功率轉換產品的先鋒企業和全球供應商Transphorm, Inc. 與偉詮電子日前宣布雙方合作推出首款系統級封裝（SiP）的氮化鎵電源控制晶片。

偉詮電子是用於適配器USB PD的控制器IC的全球領導者之一，新推出的WT7162RHUG24A電源轉換器控制晶片，設計用於為智慧型手機、平板電腦、NB和其他智慧設備充電的45至100瓦USB-C PD電源適配器。峰值功率效率超過93%。該器件的樣品將在2023年第2季度推出。

位於台灣地區新竹科學園區的偉詮電子是一家領先的無晶圓廠半導體公司，專門從事混合信號／數位IC產品的規劃、設計、測試、應用開發和分銷，產品用於電源、電機控制、影像處理等多個應用領域。向市場推出該SiP新品，標誌偉詮電子取得一項重大成就，新推出的GaN SiP展示了偉詮電子對AC-DC電源市場的承諾——使用Transphorm的SuperGaN技術提供完整的系統級解決方案。

該新產品上市，也再一次證明Transphorm氮化鎵器件的介面簡易性和卓越效能。Transphorm將在2023年應用電力電子會議（APEC）上首次展示這款偉詮電子的SiP（展位元號為853）。兩家公司還將在會議期間發布有關WTDB_008 65W USB PD電源適配器評估板的詳細資訊。

偉詮電子總經理林崇燾（Tony Lin）表示：「WT7162RHUG24A是業界首款公開發布的採用Transphorm GaN的SiP。能説明製造商開發出成本更低的系統解決方案，因為此解決方案需要的器件更少，使用更小的PCB，還能減少系統開發時間。諸多優勢可以高效地幫助適配器製造商消除設計障礙。值得注意的是，憑藉此新產品，偉詮電子可以進入一個新的市場。這是我們的PWM控制器有史以來的首個SiP，證明了偉詮電子對支援大批量成長領域的承諾。而且，通過與GaN FET的集成提高了效能輸出水準。這是偉詮電子、Transphorm和我們共同客戶的一次共贏。」

Transphorm總裁兼首席營運官Primit Parikh表示：「適配器快充市場是目前氮化鎵應用的一個快速成長領域。我們正在擴大市佔，並繼續創新。最近推出的這款GaN SiP，使Transphorm的GaN器件更易使用。我們很高興能將業界領先的SuperGaN平台與偉詮電子的創新型適配器電源控制器技術結合起來。偉詮電子提供了一個領先的功率轉換平台，可以為適配器/快速充電器客戶打造一個簡單易用的解決方案，雙方可以利用這個平台加速贏得這個市場。」

新推出的SiP集成了偉詮電子的WT7162RHSG08多模反激式PWM控制器和Transphorm的240毫歐650伏SuperGaNFET。此表面貼裝器件採用24引腳8x8 QFN封裝，可減少印刷電路板尺寸。其可調節的GaN FET開／關速度有效地提高EMI測試和解決方案的靈活性。

並且，不需要外部VDD線性穩壓器電路，可減少元件數量。另外，此SiP減少封裝寄生效應（電感、電阻、電容） 能夠最大限度提高晶片效能，能夠直接從交流主電壓的相線／中性線拉出700V超高壓啟動電流，而減少元件數量。8x8 QFN封裝儘管增加了PWM 卻適用於窄小空間，減小系統佔地面積。