高創科技推出電源架構GTLVR系列CPU/GPU核心電壓調節耦合電感器

傳統大功耗CPU／GPU應用的伺服器產品，其核心電壓VRM規格已經來到VR14版，然而所定義的分立式電感（通常使用氣隙夾片式電感，或稱為氣隙Bead Core電感，例如 : 高創科技 GTV系列）透過愈來愈高的工作頻率，搭配愈來愈低的感值，雖然帶來承載大功耗的能力，但其帶來越大的紋波電流及電感耦合係數下，需求愈來愈多的輸出電容，佔用了更多的PCB空間，這些都是研發人員的苦惱，也是伺服器機種效能及穩定性的諸多瓶頸。

IEEE APEC 2020會議上Google著眼於此些問題而提出嶄新TLVR耦合電感結構，透過1:1變壓器式的設計以及更簡約的結構，解決分立式電感的缺點，同時間帶來更多效能及成本上的競爭力。

高創科技（GOTREND Technology）推出GTLVR966411PV& GTLVR126011PV系列TLVR架構的耦合電感器，具備更大的耐電流，更強固的本體以及優異的EMI效果，可用低成本應用於需要強調可靠度的產品上，應用領域如產業電腦／5G基地台／伺服器／車載AI電腦...等。

傳統VR架構多相（N Phase）電源使用的氣隙大電流分立式電感器（高創科技 GTV系列）多年來在高功耗的CPU／GPU伺服器上扮演了很好的高轉換效率SMPS儲能放能穩壓的角色，透過多相電源架構（N Phase）分流，可以達到更大功率下的電流需求，但隨著更新VRM版本的推出，電源相數持續增加，開關切換頻率持續拉高，同時間必須使用更小感值的電感器來匹配儲能放能。

耦合電感器常應用於多相電源拓撲，充分利用其相間磁耦合電流紋波相抵消的技術優勢。而通常使用普通分立式電感時，一般只在多相降壓轉換器輸出抵消電流紋波。當耦合電感器通過磁耦合時，電流紋波抵消作用到所有電路元件、MOSFET、電感線圈。最終所有相關操作僅影響到單相，從而減小電流紋波幅值，並達到頻率倍增的效果。

而減小電流波形的RMS可有助於提高電源轉換的效率，且可縮小磁性元件，並且在獲得較快的瞬態響應下，可進而減少輸出電容需求，節約BOM Cost。

高創科技TLVR架構的耦合電感器特色與應用領域

特色為1: 1耦合電感器，超高工作頻率達5MHz以上。並且擁有超低直流阻抗 : DCR 0.125 & 0.33  ;  0.125 & 0.37mohm，超高飽和-溫升電流耐受：98A-75A ; 125A-77A。其氣隙特性本體強固，且有優異體積面積佔比 : 9x6x10mm ; 11x5x11mm。另外，有超低銅阻可直接引腳端子，配有5種感值，匹配PMIC設計。產品經有害物質檢測，符合RoHS Directive 2002 / 95 / EC。

可應用於PMIC多相電壓調節器、新架構電壓調節器模塊（TLVR）、電腦伺服器 / 產業電腦級 VRM和EVRD、5G數據網路和存儲系統、GPU圖形卡和BMS電池電源系統PMIC控制、POL負載點模塊和DCR感應電路。

高創科技創立於1999年，專業設計產銷磁性零組件23年，客戶遍佈海內外5C產業，擁有IATF16949認證體系及AEC Q200品質水準，優異的QCDS值得信賴！更多詳細資訊，請參閱官網或連聯絡GOTREND高創科技業務人員。