Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs

Cambridge GaN Devices（CGD）是一家無晶圓廠無塵技術半導體公司，開發一系列節能的GaN型功率裝置，目標是實現更環保的電子裝置；CGD宣布推出第二代的ICeGaN 650 V氮化鎵HEMT系列產品，提供領先業界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。

H2系列ICeGaN HEMT採用CGD的智慧閘極介面，幾乎消除一般E模式GaN的各種弱點，大幅加強過電壓耐用性、提供更高的抗雜訊閾值，以及提升dV／dt 抑制和ESD保護效果。新型650 V H2 ICeGaN電晶體與前代裝置相同，是以類似矽MOSFET的方式驅動，無需使用效率不彰的複雜電路，而是採用市面上供應的工業閘極驅動器。最後H2 ICeGaN HEMT的QG比矽製零件低10倍，QOSS則低5倍，因此H2 ICeGaN HEMT能夠在高切換頻率情況下大幅減少切換損耗，有助於縮減尺寸及重量。這實現了領先同類產品的效率及效能，在SMPS應用中比業界最佳的矽MOSFET整整高出2%。

CGD執行長暨共同創辦人Giorgia Longobardi表示：「CGD已透過H2系列ICeGaN建立創新領導定位。維吉尼亞理工大學（Virginia Tech）所做的獨立研究已經證實ICeGaN是業界最穩定耐用的GaN裝置；至於在易用程度方面，則可像標準矽MOSFET 一樣驅動，因此消除了會減緩市場接受速度的學習曲線問題。GaN的效率已經廣為人知，而 ICeGaN在滿載範圍內表現都相當出色。」

ICeGaN H2系列採用創新的 NL3（無載及輕載）電路，與 GaN 開關一同於晶片內建整合，提供創記錄的低功率損耗。先進的箝位結構搭配整合式米勒箝位（Miller Clamp）電路（同樣內建於晶片），無需使用負閘極電壓，因此可實現真正的零電壓關斷，並提升動態RDS（ON）效能。這類 E 模式（通常為關閉）單晶片 GaN HEMT包含單體整合介面及保護電路，提供無可比擬的閘極可靠度及設計簡易度。最後電流感測功能可減少功率耗散，並可直接與接地連接，實現最佳的冷卻及EMI。

CGD執行長暨共同創辦人Giorgia Longobardi表示：「CGD已克服一般減緩採用新型技術的所有挑戰。此外，我們現在也做好準備，透過成熟供應鏈供應H2系列ICeGaN電晶體以滿足大眾市場。」

欲知更多關於第二代的 ICeGaN 650 V 氮化鎵 HEMT系列產品，可以上CGD官網查詢。