Transphorm發佈業界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的模擬模型 智慧應用 影音
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Transphorm發佈業界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的模擬模型

  • 范菩盈台北

高可靠性、高效能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業和全球供應商宣布推出其1200伏功率管模擬模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體,領先同類產品。這款產品的發布展現Transphorm有能力支援未來的汽車電力系統,以及已普遍用於工業、資料通訊和再生能源市場的三相電力系統。

與替代技術相比,這些應用可受益於1200伏氮化鎵器件更高的功率密度及更優異的可靠性、同等或更優越的效能,以及更為合理的成本。Transphorm近期已驗證了氮化鎵器件在100kHz開關頻率的5kW 900伏降壓轉換器中更高的效能。1200伏氮化鎵器件實現了98.7%的效率,超過了具有類似額定值的量產SiC MOSFET。

創新的1200伏技術也展現了Transphorm在氮化鎵功率轉換方面的領先地位。垂直整合模式、自有外延片生產能力、以及專利製程技術,再加上數十年的工程專業知識,使該公司能夠將效能最優異的氮化鎵器件組合推向市場,並且還在以下四個方面具有重大差異化優勢:可製造性、易驅動性、易設計和可靠性。

在5月9日至11日的PCIM 2023展會上, Transphorm也發表了關於1200伏器件的資訊。

初步器件規格及如何獲取樣品

Transphorm的1200伏技術以經過驗證的製程和成熟的技術為基礎,滿足了客戶在可靠性方面的要求。GaN-on-Sapphire製程目前在LED市場上已批量生產。此外,1200伏技術充分利用了Transphorm當前器件組合中使用的效能優越、常關型的氮化鎵平台。

TP120H070WS器件主要規格包括:內部阻值70毫歐、常關型、高效雙嚮導通、最大值±20V柵極電壓、4伏的柵極驅動低擾度,零QRR 反向恢復電荷以及3引腳TO-247封裝。我們建議將Verilog-A器件型號與SIMetrix Pro v8.5電路模擬器結合使用。LTSpice型號正在開發中,將於2023年第4季度發布。模擬建模有助於實現快速高效的電力系統設計驗證,同時還可減少設計反覆運算、開發時間和硬體投資。

Transphorm氮化鎵功率器件在汽車動力系統和充電生態系統中的應用

1200伏氮化鎵器件不但是各種市場應用的理想解決方案,而且也可為汽車系統提供獨特的優勢。

電動汽車產業,尤其是在大型汽車的更高千瓦節點,將在這十年的後半期朝著800伏電池的方向發展。因此,1200伏電源轉換開關將會被用於提供所需的效能水準。因此,Transphorm的1200伏平台在新一代車載充電器、DC-DC轉換器、驅動逆變器和充電樁系統領域定會大顯身手。

對於當前使用400伏電池的電動汽車,Transphorm可提供650伏常關型SuperGaN功率管解決方案。這些功率器件符合AEC-Q101標準,可承受175°C的高溫,並已批量生產。

Transphorm首席技術官兼聯合創辦人Umesh Mishra表示: 「我們是領先的功率半導體公司,展示並兌現了GaN的承諾。Transphorm的專業知識為市場帶來效能卓越的氮化鎵器件,這些器件時時刻刻在功率密度、效能和系統成本方面樹立新的標準。我們的1200伏技術證明了Transphorm工程團隊的創新願景和決心。我們正在證明,氮化鎵可以輕鬆地在此前指定用碳化矽的應用市場中發揮作用。對於我們的業務和氮化鎵技術而言,開啟了廣泛的市場應用潛力。」


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