CGD技術長FLORIN UDREA再獲殊榮 入選ISPSD名人堂

CGD技術長Florin Udrea教授，入選 IEEE ISPSD名人堂。CGD

Cambridge GaN Devices（CGD）是奉行潔淨科技的無晶圓廠半導體事業，專注開發節能GaN功率裝置，志在提高各式電子產品的環保效能。CGD榮幸宣布，公司共同創辦人暨技術長Florin Udrea教授，入選了 IEEE ISPSD（功率半導體器件國際研討會）名人堂；名人堂旨在表彰致力推動功率半導體技術，及／或積極延續ISPSD成就卓然有成的各界人士。

表彰事由概如下述：「啟迪了一整個世代的工程師在功率半導體領域締造卓越成就，自身對於相關領域以及ISPSD本身同樣貢獻良多。」 Udrea除了在ISPSD 23於香港舉行的年度名人堂成員表彰盛會正式獲獎之外，亦曾在ISPSD 22於加拿大舉行的典禮上囊括了「最佳論文」以及「最佳海報」殊榮 — 這是ISPSD成立35年以來，首次由同一人贏取了這兩大獎項。

CGD技術長Florin Udrea表示：「這次入選ISPSD名人堂，個人實感榮幸備至，非常自豪可以加入這群德高望重的業界菁英與先行者的陣容，這群前輩與先進於相關領域的成就個個顯赫非凡，體現了所謂的開拓精神。『功率』課題的關鍵地位，如今達到了空前的程度，能在這個時間點投入產業，既是我的榮幸，也是我的福氣。只要能善用GaN等新型WBG材料，人類整體文明定能進一步提高效率、具體減少碳足跡。」

CGD執行長Giorgia Longobardi也表示：「Florin 獲獎，可謂當之無愧。他具備豐富的經驗與資歷，專長橫跨了多種功率材料（矽、碳化矽、金剛石與氮化鎵），CGD非常幸運，如願邀請到這樣的人才擔任技術長；Florin曾經召集劍橋大學高壓微電子與感測器小組（High Voltage Microelectronics and Sensors；HVMS）發表的研究成果，至今仍讓我們受益無窮，目前Florin也持續擔任小組研究的領導人。CGD創建事業的支柱之一乃是創新，而Florin著實是創新先驅。」

Udrea教授在各式期刊與國際會議共計發表了600多篇論文，並且具備200件功率半導體器件和感測器發明專利。2015年，他當選英國皇家工程院院士。Udrea在ISPSD會議期間榮膺最佳海報獎，科展海報的題目為「具感知與保護功能的智慧 ICeGaN平台，強化了易用程度與」。CGD 650 V ICeGaN GaN HEMT系列的穩定性、易用性與效率極大化，堪稱業界第一。ICeGaN可作為平台技術，具備廣泛的應用範圍，從消費領域的電源供應，到工業領域的轉換器與反向器。Udrea曾經憑藉劍橋大學發表的垂直SiC FinFET器件著作 （與日本 Misrise Technologies 和日本京都大學產學合作）而獲頒最佳論文獎。