Transphorm將氮化鎵定位為支援高功率能耗AI應用的最佳器件 智慧應用 影音
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Transphorm將氮化鎵定位為支援高功率能耗AI應用的最佳器件

  • 吳冠儀台北

Transphorm, Inc.宣布,推出三款TOLL封裝的 SuperGaN FET,導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用產業標準,這表示TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經驗證的高壓動態(開關)導通電阻可靠性。而市場上主流的代工e-mode氮化鎵則缺乏這樣的可靠性。

這三款表面貼裝型器件(SMD)可支援平均運行功率範圍為1,000~3,000瓦的較高功率應用,這樣的電力系統常用於高效能領域,如計算(人工智慧、伺服器、電信、資料中心)、能源和工業(光伏逆變器、伺服電機)以及其他廣泛的工業市場。目前,氮化鎵在這一市場領域的全球潛在市場規模達25億美元。值得關注的是,該新型功率器件是目前快速發展的人工智慧(AI)系統最佳解決方案,AI系統依賴於GPU,而GPU的功耗是傳統CPU的10~15倍。

目前,各種高效能領域的主流客戶開始採用Transphorm的高功率氮化鎵器件,為其高效能系統提供電力支援,應用領域包括資料中心電源、高功率電競PSU、UPS和微型逆變器等。新型TOLL封裝器件也能夠用於電動汽車的DC-DC轉換器和車載充電器應用,因為核心SuperGaN晶片已通過汽車產業標準認證。

TOLL形式的SuperGaN FET是Transphorm推出的第六款封裝類型,給予了客戶最廣泛的封裝選擇,以滿足客戶的不同設計需求。與所有Transphorm產品一樣,該TOLL封裝器件利用了Transphorm常閉型d-mode SuperGaN平台所固有的效能和可靠性優勢。