意法半導體1350V新系列IGBT電晶體可提升耐受性和效能 智慧應用 影音
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意法半導體1350V新系列IGBT電晶體可提升耐受性和效能

  • 賴品如台北

意法半導體1350V新系列IGBT電晶體可提升耐受性和效能。意法半導體
意法半導體1350V新系列IGBT電晶體可提升耐受性和效能。意法半導體

意法半導體(ST;紐約證券交易所代碼:STM)新系列IGBT電晶體將擊穿電壓提升至1350V,最高作業溫度高達175°C,更高的額定值確保電晶體在所有運作條件下具有更大的設計餘量、耐受效能和更長久的可靠性。

新推出之STPOWER IH2系列IGBT還提升了功率轉換效能,相關參數出色,例如,低飽和導通電壓 Vce(sat),確保元件在導通狀態下耗散功率較小。而續流二極體的壓降亦不高,能夠優化關斷電能損耗,讓在16kHz至60kHz運作頻率的單開關準諧振轉換器具有更高的效能。

新IGBT具備良好的耐受性和效能,適合電磁加熱設備,包括廚房爐灶、變頻微波爐、電鍋等家電。在2kW應用中,意法半導體的新型IGBT元件還可將功耗降低11%。此外, Vce(sat)具有正溫度係數效應,元件之間緊密的參數分布有助於簡化設計,可輕鬆並聯多個IGBT二極體,滿足高功率應用的需求。該系列前期推出的兩款元件25A STGWA25IH135DF2和 35A STGWA35IH135DF2現已量產,其採用標準TO-247長引線功率封裝。更多資訊,請瀏覽官網