Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件 智慧應用 影音
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件

  • 吳冠儀台北

氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.與適配器USB PD控制器IC的Weltrend Semiconductor Inc.(偉詮電子)宣布推出兩款新型系統級封裝氮化鎵器件(SiP),與2023年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵SiP一起,組成首個基於Transphorm SuperGaN平台的系統級封裝氮化鎵產品系列。

新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了偉詮電子的高頻多模(准諧振/穀底開關)反激式PWM控制器和Transphorm的150毫歐和480毫歐SuperGaN FET。與上一款240毫歐器件(WT7162RHUG24A)相同,兩款新的器件與USB PD或可程式設計電源適配器控制器配對即可提供整體適配器解決方案。值得注意的是,它們還可提供更多創新功能,包括UHV穀底跟蹤充電模式、自我調整OCP補償和自我調整綠色模式控制等,使客戶能夠使用更少的器件、最精簡的設計方案,更快地設計出高品質的電源產品。

偉詮電子市場推廣副總裁Wayne Lo表示,2023年推出首款SiP氮化鎵器件,這是偉詮電子發展歷程中的一個重要里程碑。對於AC-DC電源產品市場,SiP氮化鎵器件代表了一種全新的進入市場策略。日前發布的新產品表明,將繼續為該應用領域提供更多的器件選擇,支援更廣泛的產品功率級。基於Transphorm SuperGaN平台並採用整體封裝解決方案,可以為從30瓦低功率USB-C PD電源適配器到接近200瓦功率充電器的各種裝置提供更易設計的高效能電源,這是 Transphorm氮化鎵器件的獨特之處。

終端產品製造商想方設法開發物料(BOM)成本更低、但同時又具備靈活、快速充電、和更高功率輸出的新型適配器。此外,針對許多應用場景,製造商還希望提供具有多個埠和/或多種連接類型的更為通用的充電器。而所有這些方案,產品外形都要做到更小、更輕。

Transphorm常閉型d-mode SuperGaN 技術平台的主要優勢包括:同類最佳的穩固性(+/-20V的柵極裕度和4V的抗擾性)及可靠性(FIT失效率<0.05),且功率密度比矽器件高50%。偉詮電子精簡的SiP設計,利用了上述GaN器件優勢以及自身的創新技術,打造出一款近乎隨插即用的解決方案,縮小外形尺寸的同時,加快設計速度。

Transphorm全球銷售及FAE副總裁Tushar Dhayagude表示,從適配器和充電器製造商的需求考慮,SiP可以成為重要的器件選項。不僅能滿足系統電源轉換效率的要求,而且功能集成,器件更易使用,從而在最短的時間內可設計出產品。偉詮電子此前推出的零件驗證了SuperGaN SiP的效能和靈活性。本次發布新款器件,表明了我們兩家公司在深化並實踐為客戶提供更多選擇的承諾。