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EV GROUP全新無光罩曝光技術引爆微影製程革命

  • 台北訊

EVG全新MLE技術提供卓越的彈性、擴充性及擁有成本優勢,超越既有的微影量產方式。

SEMICON TAIWAN 2019匯集最多全球頂尖半導體科技廠商,是一年一度台灣半導體產業的年度盛事。2019年,微機電系統(MEMS)、奈米科技與半導體市場晶圓接合暨微影技術設備之廠商EV Group(EVG)於2019半導體展發表革命性的次世代微影MLE(Maskless Exposure)技術,能滿足先進封裝、微機電系統、生物醫學及高密度印刷電路板等應用在未來後段微影製程的各種需求。

MLE是全球首創為量產無光罩微影技術,除了結合高解析度的圖案成形(patterning)、高產量與高良率等特色外,還可消除光罩各項高昂成本。

MLE無光罩微影技術

MLE技術採用緊密整合式寫入頭,及多重波長高功率紫外線光源,不僅能容納各種大小晶圓及大尺寸面板,還能支援所有市售的光阻劑。且MLE不論使用何種光阻劑都能維持相同的電路圖案成形效能。

EVG技術執行總監Paul Lindner表示,「我們全新的MLE技術在各種後段製程微影應用將能發揮所長,且相對其他需在效能與成本之間妥協的步進機(Stepper)等圖案成形技術不同,客戶再也不用為了滿足後段圖案成形的需求,在解析度、速度、彈性與擁有成本之間做出取捨。」

「透過與許多試用客戶共同進行的初期研發成果,已證實MLE技術的應用範圍相當廣泛且數量正持續增加。在此獨特曝光技術從研發階段邁入成為首款產品之際,我們期盼能與業界更多的公司合作,以支援更廣泛能受益於MLE技術的新元件與應用。」

高產量低擁有成本

異質整合逐漸成為半導體研發與創新的驅動力,影響範圍遍及先進封裝、微機電系統及PCB市場,使後段製程微影的需求也持續升高。EVG的MLE技術造就高解析度(低於2微米L/S)的無接縫(stitch-free)無光罩曝光機制,以達到高產量與低擁有成本。

能根據使用者的需求選擇曝光頭,可迅速從研發轉移到量產、最佳化製程產出量、適應不同的基板尺寸與材料,也適合用於處理從小型晶片、複合半導體晶圓甚至是面板尺寸的各種基板。欲瞭解更多EVG的MLE技術,歡迎至南港展覽館4F(Booth No. L0316)參觀。