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氮化鎵及矽FET在主動鉗位反馳式電源轉換器之比較

  • 李佳玲台北

TI日前推出熱門培訓課程「應用氮化鎵(GaN-)及矽(Si-)場效應電晶體(FET)在主動鉗位反馳式電源轉換器之比較與設計考量」系列課程,「應用氮化鎵(GaN-)及矽(Si-)場效應電晶體(FET)在主動鉗位反馳式電源轉換器之比較與設計考量-1」該課程解說 PCF、ACF 和3-Level LLC三者間的差別,包含:電壓、開關損耗、開關頻率間的影響和限制...等。另外,更詳細的介紹 ACF中各式不同的操作區域和介面。

「應用氮化鎵(GaN-)及矽(Si-)場效應電晶體(FET)在主動鉗位反馳式電源轉換器之比較與設計考量-2」本段落介紹負載共享設計驅動電容器需要考慮的事情:穩定用輸出串聯隔離電阻、穩定用輸入 De-Q 電阻、輸出補償電壓引起的失配電流、電阻性負載的電力流失。

「應用氮化鎵(GaN-)及矽(Si-)場效應電晶體(FET)在主動鉗位反馳式電源轉換器之比較與設計考量-3」本段落介紹負載共享設計驅動電容器需要考慮的事情:電阻性負載的電力流失、在有無散熱器下的熱性能表現。關於上述課程詳細,請至TI線上培訓查詢。