盛美半導體設備發佈先進晶圓清洗設備

盛美半導體設備，宣布其槽式與單片晶圓清洗集成設備Ultra C Tahoe可應用於微影膠去除，蝕刻後清洗，離子注入後清洗，CMP後清洗等製程，提升了清洗製程效果，縮減化學藥液成本，並顯著降低硫酸廢液排放量。

由於政府部門對半導體產業的廢液排放加強了監管和限制，以及全球對環境問題的日益關注，因此迫切需要一款既能降低化學藥液用量，又不犧牲清洗製程效果的清洗設備。尤其需要重視的是，目前半導體產業內對排放的廢硫酸的處理方法欠佳，仍有部分地區(如美國)使用填埋式處理，這很有可能會具有污染環境的風險。在部分土地資源受限的地區，高溫純化處理方法是另一種選擇，然而，高溫純化處理也將面臨著能源耗費以及溫室氣體排放等一系列問題。

盛美半導體設備CEO王暉表示，硫酸廢液處理是先進IC製造中的主要挑戰。例如在台灣，半導體工廠使用了該地區硫酸總使用量的一半以上，僅憑槽式清洗，無法滿足28nm及以下製程節點的效能要求，雖然轉而使用單片清洗提高了清洗製程效果，但卻大大提高了硫酸消耗量，並且目前對硫酸廢液的處理也引發了一系列安全問題，能耗問題，以及環境問題。

盛美半導體設備開發了具有自主智慧財產權的Tahoe設備，其優秀的清洗效果與靈活的製程適用性可與客戶期望從單片晶圓清洗設備獲得的效果相媲美，與此同時，消耗的硫酸量卻僅為單片晶圓清洗設備的一小部分。它一舉兩得，既可使半導體產業技術路線得以繼續向下延伸，又兼顧了環保問題，並節省了在廢液排放上的巨大開支。

Ultra C Tahoe清洗設備在單個濕法清洗設備中集成了兩個模組。在槽式模組中，配有硫酸雙氧水混合液(SPM)清洗與快速傾卸沖洗(QDR)，SPM製程藥液在此獨立的槽式模組中迴圈使用，與單片SPM清洗相比，至少可減少80%的硫酸廢液排放。在Tahoe設備中的槽式清洗之後，晶圓將在濕潤狀態下，被傳至單片模組，進行進一步的先進清洗製程。

單片清洗腔體可按客戶需求進行靈活配置，如配備標準清洗液(SC1)、氫氟酸(HF)、臭氧水(DI-O3)，以及其他各種制程藥液。單片清洗腔體最多可配置4支擺臂，每支擺臂最多可提供3種制程藥液。還可選配氮氣霧化水清洗擺臂或盛美半導體設備獨有的智慧兆聲波擺臂進行兆聲波清洗。該系統還可為圖形化晶圓提供所需的IPA乾燥功能。

Ultra C Tahoe清洗設備現已可全球商用，包括在台灣灣地區，韓國及美國等地。