快捷半導體引入碳化矽(Silicon Carbide)技術開發創新產品

全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布收購碳化矽(Silicon Carbide；SiC)功率電晶體企業TranSiC公司，以擴展其技術領先地位。

這項收購為快捷半導體帶來具有充分驗證之業界領先效率、可在超廣溫度範圍下有出色性能、以及優於MOSFET和JFET技術的卓越性能之雙極SiC電晶體技術。快捷半導體同時藉此獲取經驗豐富的SiC工程師團隊和科學家團隊，以及多項SiC技術專利。

快捷半導體公司主席、總裁兼執行長Mark Thompson表示，透過結合SiC技術和快捷半導體現有的MOSFET、IGBT和多晶片模組方面的能力，以及遍及全球的客戶據點，快捷半導體擁有足夠實力，繼續擔當創新高性能功率電晶體技術領導廠商的角色。快捷半導體技術長Dan Kinzer指出，憑著SiC技術的高性能表現，功率轉換效率可被大大提高。它還提供更高的轉換速度、可以縮小的終端系統外形尺寸。碳化矽技術在市場已有一定地位，同時在寬能隙(wide bandgap)領域擁有強大優勢，適合需要600V以上電壓的應用，並且展現出色的穩健性和可靠性。

SiC技術超越其他技術的優勢包括：

●在特定的晶片尺寸下具有較低的導通狀態電壓降(Voltage Drop)。
●較高的電流密度。
●較高的運作溫度。
●極低的熱阻抗。
●只有多數載流子傳導，具有超快的開關速度。
●採用電流增益範圍為100的通常關斷運作(off operation)方式，提供簡便的驅動解決方案。
●由於採用正溫度係數電阻元件，可以達成簡易並聯。

另外，這類元件的阻抗非常接近SiC技術的理論極限，並且成功在25ns的導通和關斷時間範圍內展示出800V下的50A開關運作。這些元件在長期的全額定偏流和電流應力狀況下具有參數穩定性。

這些高增益SiC雙極元件適合井下鑽探、太陽能變流器、風力變流器、電動及複合動力汽車、工業驅動、UPS和輕軌牽引應用中的高功率轉換應用。市場研究機構Yole Development預計，到了2020年，這些市場的規模將達到接近10億美元。這款元件具有領先業界的效率，可將成熟的矽技術元件的相關損耗減少達50%，或在相同的損耗條件下，將頻率提升達4倍。SiC元件具有顯著縮小的尺寸、較少的被動元件，能夠降低整體系統成本和提升價值。對於需要最高效率和功率密度的系統，該元件是無可比擬的首選產品。快捷半導體正在為目標應用提供最高50A額定電流的1,200V初始產品之樣品，並將於未來開發具有更高電壓和電流範圍的產品，繼續推動省能工作。