創浦助力玻璃基板技術邁向新一代AI晶片量產

隨著AI晶片對運算效能的需求持續提升，產業競爭的焦點正逐漸從晶片本身延伸至先進封裝技術。為了在更小空間內整合更強大的運算能力，領先半導體企業正積極投資玻璃基板等新一代基板技術。玻璃基板不僅能提升功能整合密度，也有助於在晶片內部實現更快速且更有效率的資料傳輸。

然而，要充分發揮玻璃基板的潛力，製造商必須在玻璃材料中加工數百萬個微米級通孔，並以導電材料完成鍍膜，形成封裝內部的電性互連結構。

段標 ：數百萬個玻璃通孔須達零誤差

創浦已開發出業界首創的工業化製程，可實現此類結構的高品質生產，並確保穩定且具高度重複性的加工結果。透過HiPIMS（High Power Impulse Magnetron Sputtering；高功率脈衝磁控濺鍍）產品系列，創浦正協助半導體產業推動玻璃基板技術邁向量產，以支援新一代高效能AI處理器的發展。

創浦新興技術需求負責人皮奧特·拉赫（Piotr Lach）表示：「現代AI晶片的運算能力正快速提升，因此市場對先進封裝技術的需求也持續增加。玻璃通孔技術被視為下一代晶片的重要技術方向。然而，如何以高度可靠的方式完成數百萬個超微細結構的鍍膜，是產業面臨的關鍵挑戰，而這正是HiPIMS技術的優勢所在。」

其挑戰在於，玻璃基板中的通孔不僅深度高、孔徑小，且數量龐大。即使只有極少數玻璃通孔的鍍膜品質不符要求，也可能導致整片玻璃基板無法使用。

因此，對量產而言，可靠的製程、穩定一致的加工結果以及高良率至關重要。相較於傳統技術，創浦的HiPIMS解決方案可進一步提升製程穩定性與生產良率，協助晶片製造商以更具經濟效益的方式，將新一代AI封裝技術導入量產。

段標 ：HiPIMS技術精準控制離子進入高深寬比結構

HiPIMS是一項高效能電漿鍍膜技術。創浦量產型HiPIMS電漿電源可產生高度電離的電漿，其帶電離子比例遠高於傳統鍍膜技術。透過額外的電場與磁場控制，這些離子能夠被精準導引至深而狹窄的結構內部，使鍍膜材料均勻涵蓋整個結構表面，即使在高深寬比結構中亦能維持優異的鍍膜品質。

由於HiPIMS具備更高的電離率，因此能形成密度更高的鍍膜層。拉赫續表示﹕「更高品質的鍍膜有助於提升製造良率，並為未來AI晶片實現具成本效益的大規模量產奠定基礎。」

段標 ：深厚產業經驗支援先進封裝量產

創浦在工業量產環境中累積了多年HiPIMS技術開發與應用經驗。早在數年前，公司便已將HiPIMS技術導入其他工業應用領域，並持續進行技術優化與升級。如今，創浦已擁有豐富的實際製造經驗與產業化能力。

拉赫表示：「對客戶而言，重點不僅在於技術效能，更重要的是製程能否順利擴大量產規模，並在全球各地維持一致且具高度重複性的生產成果。憑藉在工業化導入方面的專業能力及技術領先優勢，我們正協助領先晶片製造商更快速且更可靠地將先進封裝技術推向量產。」

段標 ：創浦涵蓋先進封裝多項關鍵技術

除了HiPIMS技術之外，創浦亦提供多項先進封裝關鍵技術，包括應用於玻璃通孔的超短脈衝雷射，以及用於半導體鍍膜與蝕刻製程的電漿電源解決方案。這些技術共同構成新一代高效能AI晶片、資料中心以及高效能運算系統的重要製造基礎。