華新科技推出射頻專用Hi-Q Low ESR積層陶瓷電容器 智慧應用 影音
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華新科技推出射頻專用Hi-Q Low ESR積層陶瓷電容器

圖3,ESR與內電極材料的演進趨勢。
圖3,ESR與內電極材料的演進趨勢。

近年來,隨著無線通訊市場的快速普及及大量數位資料的傳輸需求,相關通訊設備的傳輸頻率迅速往上提升,從早期900/1,800MHz GSM系統快速發展至今日3G手機與無線網路通訊(Wi-Fi),所使用的傳輸頻率都在2GHz以上,甚至將來的60GHz應用也有越來越多的討論,如表1。

由於高頻訊號傳輸上,對於訊號的品質要求相當高,具備 「低等效串聯電阻(low ESR;即低耗能)及優越的高頻率特性(high Q;即高訊號品質)」之高頻通訊用積層陶瓷電容器(RF-application MLCC),成為近期在積層陶瓷電容器技術發展上的重要研發項目。MLCC的等效電路如圖1說明,當頻率升高時,實體元件中的ESR與ESL寄生效應都一一浮現,造成元件阻抗隨頻率升高而降低,直到自我諧振頻率(Self-resonant frequency;SRF)後阻抗才又升高,但此時元件特性已經從電容性轉變為電感性。

圖5,HF performance comparison。

圖5,HF performance comparison。

圖4,High Q low ESR MLCC關鍵技術。

圖4,High Q low ESR MLCC關鍵技術。

圖2,Hi-Q MLCC與一般MLCC耗用功率差異。

圖2,Hi-Q MLCC與一般MLCC耗用功率差異。

圖1,MLCC的等效電路與自我諧振頻率。

圖1,MLCC的等效電路與自我諧振頻率。

華新科技 High Q Low ESR MLCC與日系廠商比較。

華新科技 High Q Low ESR MLCC與日系廠商比較。

表1,常見的通訊應用協定與頻率範圍。

表1,常見的通訊應用協定與頻率範圍。

也就是說,當MLCC的ESR與ESL越低,將會越接近純電容,其自我諧振頻率會往越高頻率移動,更適合在高頻方面應用。以下列公式說明訊號通過電容器所耗用的功率與比較圖2,可以明顯發現Hi-Q MLCC在高頻率應用的優越之處:

Power Dissipation (Pd) on Capacitor = i2 * (XC/Q) or i2 * (ESR)

為了達成降低電容器的等效串聯電阻的目的,核心技術在於金屬內電極與微波介電陶瓷材料的開發,以及共燒技術的實現。以過去10年間,內電極材料由貴金屬鈀/銀 30/70 的成份,藉由銀的優異導電性與比重增加、降低鈀的比重,大幅改善了ESR水準。近年來一般泛用型的NPO MLCC多採用 10/90 或 3/97鈀銀成份作為內電極材料,但ESR無法再進一步有效降低,除非改用純銅或純銀內電極。如圖 3。

然而,純度接近100%的銀內電極導電性雖然極為優越,卻會有銀離子遷移(migration)的問題。由於一旦銀遷移的現象產生,將導致產品可靠度與品質的問題(例如內電極短路、耐電壓能力下降),於是諸多國際大廠紛紛宣告禁用純銀電極的產品。

純銅的材料特性有著與純銀極為接近的導電性與頻率特性,卻無離子遷移、導致可靠度不佳的問題。但礙於純銅內電極製程的困難度遠遠高於純銀內電極系統,如圖4所示,包含內電極材料、介電陶瓷材料、端電極材料、內電極電路設計與介電陶瓷共燒技術都必須有所突破,導致市場上可提供純銅內電極高頻用的MLCC目前僅有日系廠商獨佔一方。

華新科技身為台灣電子陶瓷被動元件領導廠商,綜觀內部核心技術及市場需求,成功自行研發出NP0-Cu MLCC低溫燒結材料系統,由高品質因子的微波介電陶瓷與導電性極佳的銅金屬電極組成,並導入新式卑金屬低溫共燒製程(BME-Cu),與超低等效串聯電阻之內電極設計,並取得多項材料與技術專利。如圖5與日系廠商在高頻特性的比較,可發現華新科技RF系列的NPO-Cu MLCC表現甚至超越日系廠商。

此一系列產品的推出,不僅大幅提升台灣陶瓷元件的製作技術水平,更打破日商壟斷的局面,能進一步與日系大廠並駕齊驅,並可提供台灣系統廠商相較日系供應商更快速的產品交期、經濟的購得成本與即時完整的技術服務,使得通訊產業能加快產品問世速度,亦在全球性競賽中持續保有其競爭力。