推動可攜式設備微型化　恩智浦半導體推出精巧型電源管理解決方案

恩智浦NXPPBSM5240PFDFN2020-6 (SOT1118)無鉛塑膠封裝，散熱性提升25%並達成較低功耗。

恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.；NASDAQ：NXPI)宣布推出採用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑膠封裝的精巧型中功率電晶體和N-channel Trench MOSFET產品PBSM5240PF。DFN2020-6(SOT1118)無鉛塑膠封裝面積僅2 x 2 mm，高度為0.65 mm，特別針對目前行動設備等高性能消費產品的微型化發展趨勢而設計。作為業界首款整合低VCE(sat) BISS電晶體和Trench MOSFET的2合1型產品，PBSM5240PF不但可節省PCB板空間，同時具備出色的性能。

傳統的小訊號電晶體(BISS)/MOSFET解決方案通常需採用兩個封裝，相較之下PBSM5240PF可減少超過50%的電路板佔用面積，同時使封裝高度降低10%以上。此外，DFN2020-6 (SOT1118)封裝亦整合1個散熱器，使散熱性能提升25%，進而可支援高達2A的電流，並達成較低的功耗。

PBSM5240PF可作為可攜式電池充電電路的一部分，適用於手機、MP3播放器以及其他可攜式設備。也可應用於需要出色散熱性能、較高電流支援與佔用面積小的負載開關或電池驅動設備中。

恩智浦產品經理Joachim Stange表示：「對於可攜式設備領域而言，BISS/MOSFET解決方案的獨特之處與魅力即在於其精巧的佔位面積、出色的性能、散熱性以及無鉛封裝。此款整合式的封裝產品最高可支援40V的電壓，非常適合應用於目前日益微型化的小型行動設備中。對於此類設備產品，高度和電路板空間皆為設計考慮的關鍵因素，每一毫米皆至關重要。」

技術重點

PBSM5240PF BISS電晶體與N-channel Trench MOSFET的主要特性包含：
●高度集電極電流性能IC與ICM。
●高度集電極電流下具備高電流增益(hFE)。
●產生的熱能較低，可達成高效能。
●極低的集電極─發射極飽和電壓(VCEsat)。
●封裝面積僅2 x 2 mm，可減少PCB板尺寸。

恩智浦PBSM5240PF具突破性的小訊號(BISS)電晶體和N-channel Trench MOSFET即將上市，將透過全球主要經銷商供貨。