漢磊嘉晶專注寬能隙功率技術開發

漢磊嘉晶專注於寬能隙功率半導體技術開發。

近年來包括電動車及綠能電力儲存等應用興起，5G及大型資料中心和比特幣礦機等高效能運算及高速資料傳輸需求大增，帶動寬能隙半導體功率元件的相關需求。

因此，漢磊投控旗下晶圓代工廠漢磊科技與磊晶廠嘉晶電子，看好未來寬能隙半導體市場，專注於碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料製程技術開發。

漢磊科技自2013年起投入碳化矽(SiC)材料製程開發，目前已擁有4吋和6吋600？1200V SBD及SiC Planar/Trench MOSFET等製程技術，及背面減薄技術。現已成功將SiC晶圓減薄至100微米，目前正積極規劃調整6吋SiC晶圓代工產能，預計第4季開始接單生產，成為台灣唯一能提供6吋SiC製程的晶圓代工廠。

嘉晶電子是台灣唯一可供應SiC磊晶晶圓的磊晶廠，產品線涵蓋600？1200V的4吋與6吋SiC磊晶晶圓，應用於SBD與MOSFET等元件。

此外，針對GaN-on-Si和GaN-on-SiC，嘉晶電子擁有自有專利的磊晶技術，對於生產批次間的穩定性控制具豐富經驗，產品線涵蓋4吋與6吋100？650V磊晶晶圓，應用於D-mode、E-mode power HEMT與RF HEMT等元件。同時SiC及GaN量產品質皆獲得國際整合元件廠(IDM)大廠認可。

目前，漢磊科技與嘉晶電子也已開始1700V及3300V等高耐壓的SiC的相關技術開發，未來在寬能隙功率半導體市場上將具有更大競爭優勢，本次展覽，漢磊科技在「化合物半導體創新應用館」，展出自家半導體技術解決方案。