超赫科技攜手日本NTT-AT簽署MOU深化RF與Power半導體戰略合作

超赫科技攜手日本NTT-AT簽署RF與Power半導體戰略合作MOU（右為超赫總經理吳展興，左為 NTT-AT本部長界義久）。超赫科技

新創IC設計公司超赫科技近日宣布，已正式與日本電信集團NTT旗下專注在前瞻技術的NTT-AT（NTT ADVANCED TECHNOLOGY CORPORATION）簽署合作備忘錄（MOU）。雙方將聚焦於三五族化合物半導體技術，規劃從「上游磊晶開發」、「中游產品設計開發」到「下游市場拓展」的整體產業鏈合作。

以Power半導體為深化起點  RF合作同步並進

本次戰略合作旨在結合超赫科技與NTT-AT的核心技術優勢，共同因應全球電動車、車用電子、綠能、AI伺服器及高頻通訊（如5G Advanced、6G及衛星通訊）市場的發展趨勢。雙方在具體業務推進上已建立溝通機制，逐步開展兩大領域的技術與產品布局：

1.功率（Power）半導體逐步深化：雙方以此作為首波合作的核心起點，結合NTT-AT在三五族化合物半導體（如GaN）的磊晶材料技術，以及超赫科技在功率元件、晶片領域的設計能力，共同開發高效能、高可靠度的電源管理解決方案，進一步導入新能源、AI與工業應用市場。

2.射頻（RF）半導體同步展開：除了功率領域的進展，雙方在射頻半導體領域的合作也已同步啟動。結合超赫科技在射頻晶片與天線模組（AiM）的設計經驗，以及NTT-AT的三五族化合物半導體長晶技術，共同研發適用於5G Advanced、6G及衛星通訊、無人機、機器人等領域的射頻元件。

發揮超赫「磊晶結構設計」實力  完備產業鏈合作模式

本次合作不僅止於單一項目的開發，超赫科技與NTT-AT期望建立跨越產品週期的深度合作模式。在這項合作中，超赫科技將運用其「磊晶結構設計」核心能力，作為推動雙方技術對接的重要引擎。

傳統半導體晶片的效能，長期受制於材料規格與磊晶成長瓶頸。超赫科技打破常規，憑藉在元件材料物理與磊晶結構的自主研發實力，直接從源頭進行精準設計與根本優化，徹底顛覆既有技術限制，釋放晶片的極致效能。

透過將「超赫的磊晶結構設計」與NTT-AT的磊晶成長技術相結合，這種上下游一體化的合作模式，將有助於從基礎材料層面提升晶片的整體效能，並與中游的產品設計開發無縫對接。未來，雙方亦規劃透過各自的市場通路，將產品導入國際供應鏈，開創互利共贏的局面。

迎向AI、綠能與前瞻通訊發展契機

隨著全球AI（人工智慧）資料中心的成長、數位轉型與淨零碳排趨勢，高效能的功率與射頻三五族化合物半導體已成為關鍵的技術資源。尤其在AI伺服器對供配電效率與散熱效能的嚴苛要求、綠能儲電系統的高效轉換需求，以及次世代5G/6G與衛星通訊對高頻訊號的標準下，超赫科技期盼以自身技術，為次世代AI算力、綠色能源與前瞻通訊生態提供支援。

未來，超赫科技與NTT-AT將透過已成立的聯合工作小組，持續深化具體的磊晶規格對接與產品發展藍圖（Roadmap）規劃，共同為全球客戶提供具前瞻性與可靠性的技術服務與解決方案。

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