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尼克森微電子推出MOSFET全新封裝元件PowerFET

  • 林仁鈞

尼克森微電子新世代PowerFET

為提高電腦的運算力,新一代的CPU整合更多的元件,帶來了更傑出的效能,但CPU對功耗的需求也相對提高,而必需使用更多與更優異的功率元件來支援。

隨著電源需求增加,在空間不能增加的前提下,供應商只能在提升功率元件的功率密度與效能上努力。針對此需求功率元件大廠尼克森微電子(NIKO)特別推出全新封裝技術的PowerFET系列產品,此系列產品僅使用3x3 mm2大小的封裝,能將晶片直接和特殊封裝外殼連接,藉由金屬外殼增加散熱面積並縮短散熱之路徑,大幅提升熱散逸的能力;同時,因將晶片直接和封裝外殼作連接,也大大的降低傳統封裝打線(Wire Bonding)所必然產生的打線阻抗。

另外在此PowerFET系列產品的晶片設計上,搭配使用新一代Low Gate Charge 結構元件製程技術,除了有更優異的晶片導通阻抗(RDS(ON))外,在動態參數上也獲得改善,可有效降低交換損失(Switching Loss),提升電源的轉換效率。

整體而言,PowerFET和傳統的DFN5x6封裝比較,封裝面積降低約70%,厚度降到0.5 mm,導通阻抗減少10%~30%以及顯著地減低從接面到外殼頂部的熱阻,有效降低MOSFET的表面溫度。

PowerFET 為尼克森微電子(NIKO)為了因應更為嚴苛的應用需求所開發的新一代功率元件,具優異的溫度散逸能力與低導通阻抗等電氣特性,符合目前各種電源應用及多數未來的電路系統設計需求。本系列產品已經自2018年下半開始量產供貨,因具備優異的特性與良好的性價比,受到不少客戶的青睞,目前正積極尋求產能的擴充,以滿足市場的需求。更多訊息請參見官網