大聯大詮鼎攜手東芝解析高效率電源轉換方案

隨著AI運算需求快速攀升，全球領先半導體零組件通路商大聯大控股旗下詮鼎集團攜手全球功率半導體領導廠商東芝（Toshiba）舉辦「東芝高效率電源轉換與功率元件應用」線上研討會，聚焦東芝矽基低壓／高壓金氧半場效電晶體（MOSFET）與碳化矽（SiC）MOSFET最新產品、應用重點與未來技術發展方向，並結合高功率應用參考設計，協助工程團隊加速產品開發並縮短研發時程。

隨著全球能源轉型持續推進，電源技術正朝向更高能效、更高功率密度及更低整體成本發展。面對日益嚴格的能效標準與愈趨緊湊的系統設計空間，功率元件選型與電路拓撲設計已成為影響產品效能的重要關鍵。東芝最新的矽基半導體與SiC元件產品，為AI伺服器、資料中心及工業電源提供高功率密度與高效率設計的新選擇。

台灣東芝電子零組件股份有限公司FAE經理葉侑哲（Peter Yeh）指出，因應AI算力快速成長帶來的高功率密度需求，電源架構正加速朝高壓直流（High Voltage Direct Current ; HVDC）方向演進。東芝也已規劃完整的功率元件發展藍圖，結合自有設計與製程能力，全面布局矽基與SiC功率元件產品。

在40V及80V低壓MOSFET（LVMOS）的技術與產品規劃中，東芝正透過新一代製程持續優化導通電阻（Rds(on)）表現。近期已上市的U-MOS11-H 80V系列產品，其中的TPM1R408RH型號產品在Rds(on)與閘極電荷（Qg）等關鍵指標上展現優異效能，且具備良好的溫度特性與整體效率表現。

針對600V及650V高壓MOSFET產品，DTMOSVI系列產品提高參雜濃度以降低Rds(on)及縮小Die size，大幅提升效能及競爭力，其Rds(on)×Qgd指標已達到業界先進水準。基於DTMOSVI 600V平台開發的高速恢復二極體（HSD）系列，相較前一代產品在Qg、反向恢復電荷（Qrr）及高溫損耗等方面皆有顯著改善，進一步提升整體轉換效率。

在備受關注的SiC領域，東芝亦公布離散式SiC MOSFET產品發展藍圖。下一代溝槽式閘極MOSFET將率先推出QDPAK封裝，後續並將逐步擴展至更多封裝形式、電壓等級與導通電阻產品系列。目前東芝已量產的第三代SiC MOSFET具備低Rds(on) & 溫度飄移特性，透過內建蕭特基二極體（Schottky Barrier Diode ; SBD）抑制晶格缺陷導致的Rds(on)漂移，同時縮小晶片尺寸，以達到更好的效能表現及提升產品競爭力。

在晶片技術發展方面，東芝下一代溝槽式SiC MOSFET預計可將單位面積導通電阻（Rds(on)×A）較第三代產品降低超過50%，同時進一步改善Rds(on)×Qgd等關鍵效能指標，有望提供更具成本效益的SiC MOSFET解決方案。

此外，跨導能力提升後，元件可支援15V驅動電壓（VGS），顯著提升易用性；第三代SiC SBD則可提供業界最低的Vf(1.2V)，範例中，應用於功率因數校正（Power Factor Correction ; PFC）電路，能有效提升整機效率。

為協助工程師快速完成設計驗證並縮短產品上市時程，東芝亦提供涵蓋電源管理與馬達控制的完整參考設計資源，結合最新功率元件與典型電路拓撲，可直接應用於AI伺服器電源、資料中心備援電源及工業開關電源等場域。

隨著AI算力需求持續攀升，資料中心機櫃功率密度已由過去數kW至數十kW，快速提升至數百 kW等級，並隨著800 VDC架構導入，進一步朝MW級AI rack / rack-scale power system發展，電源轉換效率與功率密度成為系統設計的重要課題。

此次大聯大詮鼎與東芝攜手舉辦技術研討會，不僅展現東芝在矽基與SiC功率元件領域的完整布局與技術實力，也為電源工程師提供更具參考價值的元件選型與設計方向。未來，大聯大詮鼎將持續攜手東芝，以高效率功率元件結合在地化技術支援，協助亞太地區客戶於AI伺服器、資料中心及工業電源等應用領域，打造兼具高效率與高可靠性的創新設計。

「東芝高效率電源轉換與功率元件應用」線上研討會透過大聯大旗下技術交流平台「詮鼎大大芯」線上舉辦，欲進一步了解東芝高效率電源轉換與功率元件應用，歡迎透過平台觀看完整研討會內容。