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長江存儲Xtacking技術縮短開發時程 2020年量產128層3D NAND

  • 李佳榕/綜合報導

長江存儲推出Xtacking技術,可使NAND生產週期縮短20%。長江存儲

中國大陸記憶體業者長江存儲副總裁程衛華近日於SEMICON China上指出,隨著5G、人工智慧(AI)以及物聯網(IoT)產業興起的數據爆炸時代到來,記憶體產業也迎來新的發展機會。

隨著晶圓物理極限的不斷逼近,固態硬碟(SSD)上的記憶體單元內部的能夠裝載的閃存顆粒也已接近極限,要想進一步擴大可用容量,就必須在技術上進行創新,而提高單位面積儲存密度的3D NAND也因此成為重要的記憶體解決方案。

然而,3D NAND仍存在儲存密度、研發與製造周期等挑戰,對此,業界於2015年推出PuC以及在2018年推出4D NAND來解決上述問題,而長江存儲則是在2018年8月推出Xtacking技術。

據了解,長江存儲Xtacking架構主要特點在於可將I/O速度提升至3Gbps,相當於DRAM DDR4的速度,可將產品開發時間縮短至3個月,使生產週期縮短20%,加速3D NAND產品上市。Xtacking技術將應用於第二代3D NAND產品開發,預計2019年進入量產。

目前,各家原廠3D NAND都已研發至96層,市面上量產的大多是64~72層的3D NAND,像是三星電子(Samsung Electronics)48層和64層3D NAND穩定量產;美光(Micron)64層3D NAND出貨量亦穩定;SK海力士(SK Hynix)發布基於72層3D NAND的企業用SSD產品。

而長江存儲32層3D NAND產品與Xtacking架構64層3D NAND產品預計在2019年第4季進入量產。值得注意的是,長江存儲表示將跳過96層,直接預定於2020年量產128層堆疊3D NAND。此階段並非跳過96層的研發,而是不進行量產,以期儘快追上其他大廠。

揮別2017年的繁榮景象,2018年全球NAND Flash價格一路走跌。由於受到伺服器需求疲弱以及手機汰換週期延長等終端需求不佳等衝擊,2019年第1季各類NAND產品綜合價格平均季跌幅達20%,是自2018年初NAND轉為供過於求以來,跌幅最大的一季。

而首先將受到市場波及的便是記憶體巨頭三星。三星財報顯示,2018年第4季DRAM營收較上一季下滑25.7%,市佔率下跌4.2%;而NAND營收也較上一季減少28.9%,市佔率更下滑5.2%。

據IC insights預測,由於記憶體晶片(包括DRAM與NAND)行情轉冷,三星的半導體產品年收入將有可能較2018下跌20%,依靠記憶體產業發達的三星,好日子恐將在2019年畫上休止符。

另一方面,東芝(Toshiba)執行技術總裁大島成夫也於SEMICON China表示,SSD需求佔NAND市場的一半,在5G、AI、IoT、自駕車技術引領下也將持續引領市場。