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採用先進1β技術 美光推出高速7,200MT/s DDR5記憶體

  • 楊竣宇台北

美光科技(Nasdaq: MU)宣布推出16Gb DDR5記憶體,奠基於其領先業界的1β製程節點技術,美光1β DDR5 DRAM的內建系統功能速率可達7,200 MT/s,目前已出貨給所有資料中心及PC客戶。美光1β DDR5 記憶體採用先進高介電常數CMOS製程、四相位時脈及時脈同步1,相較於前一代產品,效能可提升 50%2,每瓦效能功耗可降低33%3。

為因應資料中心工作負載所需,CPU內核數持續增加,為突破「記憶體牆」(Memory Wall)瓶頸,同時為客戶提供最佳化的總擁有成本,對於記憶體頻寬及容量需求也隨之大幅提升。美光1β DDR5 DRAM可擴大運算能力,並以更高效能輔佐資料中心及客戶端平台,支援AI訓練及推論、生成式AI、資料分析、記憶體資料庫等。全新1β DDR5 DRAM產品在現有模組化密度中,速率可達4,800 MT/s 至 7,200MT/s,適用於資料中心及客戶端應用。

美光核心運算DRAM產品設計工程事業部企業副總裁Brian Callaway指出:「量產1β DDR5 DRAM 並提供給客戶及資料中心平台,是業界一大里程碑,在我們與生態系夥伴及客戶合作下,將加速高效能記憶體產品的普及。」

美光1β技術協助提供更廣泛的記憶體解決方案,包括使用16Gb/24Gb/32Gb DRAM晶粒的DDR5 RDIMMs和MCRDIMMs、使用16Gb/24Gb DRAM 晶粒的 LPDDR5X,以及HBM3E與GDDR7。全新美光16Gb DDR5記憶體產品可透過直接銷售及通路夥伴提供。

業界證言:

華碩消費性產品事業處陳奕彰協理表示:「華碩作為消費型及電競高效能筆電領導品牌,如何將記憶體子系統轉換至DDR5是華碩關注的一大重點。我們很期待推出搭載美光1β DDR5記憶體的華碩與ROG筆電,為顧客創造出更好的使用體驗。」

Ampere Computing產品長Jeff Wittich認為:「將Ampere的雲原生處理器搭配美光1β DDR5記憶體,可組成同級中最佳的運算方案,滿足超大規模客戶追求的效能、擴充性及能耗比,AmpereOne平台及早整合採用速率達7,200MT/s 的美光1β DDR5記憶體,將可持續推進AI、機器學習等高效能運算應用發展。」

Cadence IP事業群資深副總裁暨總經理Boyd Phelps強調:「我們很榮幸與美光合作,運用我方領導業界的 DDR5、LPDDR5X、GDDR6、HBM3 IP系統解決方案,搭配美光世界級記憶體產品組合,共同支持適合特定應用的次世代平台,在美光先進的1β DDR5記憶體助力之下,我們能夠以高達7,200MT/s的速率評估並驗證高效能的DDR5 IP。」