冲成公司代理引進更高階精密設備　協助客戶提升製程良率

全球消費性電子產品趨勢不斷朝向輕、薄、短、小及高效能發展，因此隨著其快速演進的過程，廠商必須不斷地開發先進且高效能的晶片製程與技術。此外，良率更關係著成本與獲利的關鍵。因此透過更精密的儀器及高科技的設備，提高生產製程上的良率，才有機會在不景氣中脫穎而出，打敗競爭對手，讓危機變為轉機，這也是各半導體大廠持續努力的目標。

積體電路製程在愈做愈小的趨勢下，層與層之間疊對是否精準，線寬尺寸誤差是否在可容許的範圍內，都會深刻影響積體電路的良率和性能表現，所以必須有先進的量測技術加以檢視、驗證，並提供數據作為技術改善的依據。良率的提升對半導體產業來說是相當重要的，舉例來說，若某公司每年約產出10億顆記憶體晶粒，假使良率提升1%，則表示該公司在一樣的生產條件下，不增加資本投入，每年便可多出1,000萬顆記憶體晶粒，以每顆記憶體晶粒2美元計算，整年度之盈餘便可多出2,000萬美元。

ISIS專精於非接觸式精密量測機台的研發與生產，在高精密度量測方面有非常獨到的專利與技術，因此冲成特別代理引進ISIS量測機台。ISIS之非接觸厚度量測系統，是以紅外線折射的方式，非破壞性地量測被測物。透過多次穿透的折射方式可同時量測多層被測物(Multi layer)，並可以2D & 3D圖畫方式呈現數據，讓使用者方便判讀。除此之外，其精準度(Accuracy)亦達到0.2μm，重複性(Repeatability)更可達0.1μm(3 sigma)。ISIS儀器所能量測的材質包括Silicon、SiC、InGaAs、InP、TFT Glass/ Ceramics、SOI、Polyimide、Photoresist(spin coating)等。

除此之外，冲成代理之E+H也是提升良率的重要檢驗儀器，從2吋到18吋的晶圓都有其對應機型。來自德國的E+H同樣在精密量測上有傲人成績與歷史。E+H電容式量測儀器在晶圓(Wafer)的量測上深受半導體製程上的肯定，包括厚度(Thickness)、翹曲度(Warp)、應力(Stress)、TTV等，都能準確、快速地測量出數據，匯出的2D與3D圖，讓RD人員在研發上有所依據，產線人員亦可迅速檢驗並提升良率。以MX203機型為例，最快5秒即可量測1片wafer。

冲成公司多年來一直致力於提供最好的服務，秉持著「客戶的成功就是冲成的希望」之宗旨，除代理先進的設備，並以專業的形象及優質敬業的售後服務與客戶一同成長。為了讓業界更認識了解，冲成積極參與每一年度的半導體展。在SEMICON Taiwan 2011的「創新技術發表會」中，冲成將介紹ISIS之最新技術，主題為「Achieve All-In-One Measurement with Same Machine」，發表會時間為2011年9月7日12:30~13:00於3052攤位。冲成公司SEMICON Taiwan 2011攤位位於世貿一館708。