因應3D IC潮流　志聖推出創新式晶圓壓膜技術

志聖的壓膜設備量產至今已銷售超過1,000台以上，該公司將於半導體展中，針對3D IC矽中介層的乾式製程，展出全新自動晶圓壓膜機。志聖

設備大廠志聖工業在2011年台灣半導體展中將針對3D IC Interposer乾式製程，展示創新晶圓壓膜機，以迎合未來的3D IC時代潮流。志聖表示，透過在IC載板的真空壓膜技術，將其運用在半導體製程，使晶圓光阻製程中有更好的良率，節省成本，並縮短3分之1的生產時間，在矽中介層(Si-Interposer)製程中可適用於成型(Molding)、重布線(RDL)及非導電膠膜(NCF)等，可有效簡化多道製程。

由於終端產品趨勢走向輕薄短小，晶片封裝需要縮小體積尺寸，並且講究多功能整合需求，因此3D IC製程格外重要。隨著3D封裝技術發展，品質與成本問題成為產品能否大量進入商業化的關鍵，因此矽中介層成為關鍵製程，確保製程中的矽中介層晶圓良率便相形重要。

志聖將於7~9日在台灣半導體展中，展示全新的真空晶圓壓膜機及電漿蝕刻機設備。志聖表示，真空晶圓壓膜機在矽中介層製程及相關重新布線(RDL)技術上，可以發揮極佳的功能。在矽中介層製程中，晶圓壓膜機可以完成應用於以下工序，包括以乾膜替代原有的濕膜光阻(Photo Risist)功能；在UBM的工序中，以乾膜做為光阻功能；在成型工序中，以乾膜取代環氧樹脂；在RDL工序中，以乾膜取代濕式塗布；在底部填充(underfill)工序中，以乾膜取代濕膠。另外，在矽中介層製程後的覆晶封裝、基板黏合IC的工序中，志聖真空壓膜機可以導入NCF製程中，進而減少工序及增加良率的創新製程工法。

志聖指出，3D IC的乾式製程可以比濕製程快3倍的原因，在於乾式壓膜可以將乾膜裁切得比晶圓小，在壓膜後不必再做裁切邊緣的製程，省去晶邊清洗(EBR)的製程及時間，減少一個製程工序，也降低產生不良品的機率。

此外，志聖運用高階的吸真空後再壓膜的技術與流程，讓乾膜與晶圓間完全沒有空隙，不會因滾輪壓膜所產生空隙及氣泡的不良，亦解決使用晶圓對晶圓(WTW)黏合機的溢膠和較長製程時間等問題產生。