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冲成代理先進精密設備 協助客戶提升良率

  • 張琳一台北

在競爭日趨激烈的全球半導體市場中,廠商必須不斷地開發先進且高效能的晶片製程與技術。尤其良率更是關係著成本與獲利的關鍵。因此透過更精密的儀器及高科技的設備,提高生產製程上的良率,才有機會在不景氣中脫穎而出,打敗競爭對手,讓危機變為轉機,這也是各半導體大廠一直不遺餘力的目標。

冲成公司多年來一直致力於提供最好的服務,積極代理先進的設備,並以專業的形象及優質敬業的售後服務與客戶一同成長。為了讓業界更認識了解冲成,該公司積極參與每一年度的半導體展。在SEMICON Taiwan 2013展中,冲成於南港展覽館4F攤位號碼128,將展出一系列先進精密設備。

冲成公司代理的Hologenix-Slip Finder全自動晶圓邊緣缺陷檢查設備。

冲成公司代理的Hologenix-Slip Finder全自動晶圓邊緣缺陷檢查設備。

其中,冲成公司代理之Hologenix-SLIP FINDER,可精確檢驗出晶圓在各製程,如SOI、Epitaxy、Diffusion、Post Implant Annealing、RTP所造成的晶格斷差(SLIP),以避免後續無效製程造成的成本浪費。此設備應用魔鏡技術(Magic Mirror)為基礎,可視範圍為15mmx11mm,可檢測SLIP minimum depth為0.05μm,Length為150μm;12吋晶圓亦可適用。同時客戶可依需求選用手動或支援FOUP、FOSB以及Open Cassette的全自動晶圓傳輸設備,依晶圓尺寸及檢驗區域大小,throughput約為15-80 wph。

另外冲成公司同時也代理ISIS量測機台,ISIS公司專精於非接觸式精密量測機台的研發與生產,在高精密度量測方面有非常獨到的專利與技術。ISIS之非接觸厚度量測系統,是以紅外線折射的方式,非破壞性地量測被測物。透過多次穿透的折射方式可同時量測多層被測物(Multi layer),並可以2D&3D圖畫方式呈現數據,讓使用者方便判讀。除此之外,其精準度(Accuracy)亦達到0.5μm,重複性(Repeatability)更可達0.1μm(3 sigma)。ISIS儀器所能量測的材質包括Silicon、SiC、InGaAs、InP、TFT Glass/Ceramics、SOI、Polyimide、Photoresist(spin coating)等。

除此之外,冲成代理之E+H也是提升良率上重要的檢驗儀器,從2吋到18吋的晶圓都有其對應機型。來自德國的E+H同樣在精密量測上有傲人成績與歷史。E+H電容式量測儀器在晶圓(Wafer)的量測上深受半導體製程上的肯定,包括厚度(Thickness)、翹曲度(Warp)、應力(Stress)、TTV等,都能準確、快速地測量出數據,匯出2D、3D圖,讓RD人員在研發上有所依據,產線人員迅速檢驗並提升良率。以MX203機型為例,最快5秒即可量測一片wafer。


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議題精選-2013 SEMICON